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| 講演名 | 2019-11-08 13:30 ［招待講演］トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション ○渡辺正裕・執行直之・星井拓也・古川和由・角嶋邦之（東工大）・佐藤克己（三菱電機）・末代知子（東芝デバイス&ストレージ）・更屋拓哉・高倉俊彦・伊藤一夫・福井宗利・鈴木慎一・竹内 潔（東大）・宗田伊里也・若林 整（東工大）・中島 昭（産総研）・西澤伸一（九大）・筒井一生（東工大）・平本俊郎（東大）・大橋弘通・岩井 洋（東工大）  SDM2019-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-77 |
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| 抄録 | （和） | トレンチゲート型シリコンIGBT(insulated gate bipolar transistor)の３次元TCADシミュレーションを行い，飽和電流(1000 A/cm$^2$)領域に至る数桁の電流範囲で，電流電圧静特性の実験結果と良好に一致することを示した．併せて，２次元シミュレーション結果との対比から，オン電流付近から飽和電流にかけての正確な解析には，トレンチゲート近傍の３次元的な電流フローを考慮したシミュレーションが重要になることを示した． |
| （英） | In this work, excellent agreement between 3D TCAD simulations and experimental current-voltage characteristics were obtained in the up to 1000 A/cm$^2$ region for insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with scaled trench-gates. The results of 2D and 3D simulations are compared to discuss the difference in current-voltage characteristics and their physical origins. A method to evaluate the saturation current (JCsat) using a 2D simulation is also presented with an appropriate correction. | |
| キーワード | （和） | シリコンパワーデバイス / IGBT / スケーリング / TCAD / シミュレーション / / / |
| （英） | Silicon Power Device / IGBT / Scaling / TCAD / Simulation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 273, SDM2019-77, pp. 45-48, 2019年11月. | |
| 資料番号 | SDM2019-77 | |
| 発行日 | 2019-10-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-77 |
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