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| 講演名 | 2019-11-08 10:25 高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化 ○松本周作・岡山琢哉・古川昭雄（東京理科大）  CPM2019-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-50 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 271, CPM2019-50, pp. 31-34, 2019年11月. | |
| 資料番号 | CPM2019-50 | |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2019-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-50 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2019-11-07 - 2019-11-08 |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス |
| 開催地（英） | Fukui univ. |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2019-11-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Change in Electrical Characteristics with Change of Channel Structure in Integrated FET Using Piezoelectric Film P (VDF-TrFE) as Gate Insulator |
| サブタイトル（英） | |
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| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松本 周作 / Shusaku Matsumoto / マツモト シュウサク |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡山 琢哉 / Takuya Okayama / オカヤマ タクヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 昭雄 / Akio Furukawa / フルカワ アキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Science) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-11-08 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2019-50 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.271 |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-10-31 (CPM) |
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