研究会情報 |
研究会 |
CPM |
開催期間 |
2019-11-07 - 2019-11-08 |
開催地(和) |
福井大学 文京キャンパス |
開催地(英) |
Fukui univ. |
テーマ(和) |
機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2019-11-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
高分子圧電体膜P(VDF-TrFE)をゲート絶縁膜に用いた一体型FETにおけるチャネル構造変化に伴う電気的特性の変化 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Change in Electrical Characteristics with Change of Channel Structure in Integrated FET Using Piezoelectric Film P (VDF-TrFE) as Gate Insulator |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
松本 周作 / Shusaku Matsumoto / マツモト シュウサク |
第1著者 所属(和/英) |
東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岡山 琢哉 / Takuya Okayama / オカヤマ タクヤ |
第2著者 所属(和/英) |
東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
古川 昭雄 / Akio Furukawa / フルカワ アキオ |
第3著者 所属(和/英) |
東京理科大学 (略称: 東京理科大)
Tokyo University of Science (略称: Tokyo Univ. of Science) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2019-11-08 10:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2019-50 |
巻番号(vol) |
vol.119 |
号番号(no) |
no.271 |
ページ範囲 |
pp.31-34 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2019-10-31 (CPM) |