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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-08 09:30
[招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
抄録 (和) ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを標準的なデバイス・シミュレーションの枠組みの中でシミュレーションする方法を提案する.この方法では,強誘電体における分極の振る舞いをLandau-Khalatnikov方程式で記述しており,これをPoisson方程式などのほかのデバイス支配方程式とともに解くことが可能になる.実際にデバイス・シミュレータに組み込み,例として強誘電体の負性容量状態を利用する負性容量トランジスタをシミュレーションする. 
(英) We propose a method to simulate the dynamic behavior of field-effect transistors (FETs) having ferroelectric materials in the gate stack and harnessing their ferroelectricity within the standard framework of device simulation. This method enables a device simulator to solve the Landau-Khalatnikov equation describing the behavior of the polarization in ferroelectric materials together with the other equations governing FETs such as Poisson's equation. We incorporate this method into our original homemade device simulator and realize the simulation of FETs harnessing the negative capacitance of ferroelectric materials.
キーワード (和) 強誘電体 / 負性容量 / 電界効果トランジスタ / デバイスシミュレーション / TCAD / / /  
(英) ferroelectrics / negative capacitance / field-effect transistors / device simulation / TCAD / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 273, SDM2019-74, pp. 27-32, 2019年11月.
資料番号 SDM2019-74 
発行日 2019-10-31 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード SDM2019-74

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-11-07 - 2019-11-08 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 
テーマ(英) Process, Device, Circuit simulation, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-11-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Device Simulation of Dynamic Behavior of Ferroelectric Field-Effect Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電体 / ferroelectrics  
キーワード(2)(和/英) 負性容量 / negative capacitance  
キーワード(3)(和/英) 電界効果トランジスタ / field-effect transistors  
キーワード(4)(和/英) デバイスシミュレーション / device simulation  
キーワード(5)(和/英) TCAD / TCAD  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 服部 淳一 / Junichi Hattori / ハットリ ジュンイチ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 努 / Tsutomu Ikegami / イケガミ ツトム
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 浩一 / Koichi Fukuda / フクダ コウイチ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 栄大 / Hidehiro Asai / アサイ ヒデヒロ
第6著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2019-11-08 09:30:00 
発表時間 60 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-74 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.273 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2019-10-31 


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