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講演抄録/キーワード
講演名 2019-11-07 15:00
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果
長内公哉中村和樹郡山春人小林康之遠田義晴鈴木裕史弘前大)・末光眞希東北大)・中澤日出樹弘前大CPM2019-46
抄録 (和) 希釈ガスにH2を用いたプラズマ化学気相成長法により窒素を添加したダイヤモンドライクカーボン(N-DLC)膜を作製し、真空中ポストアニールが膜特性に及ぼす影響について調べた。235~270°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップはわずかに増加した。これは、バンドギャップ中の欠陥準位密度が減少したことを示唆する。一方420~490°Cの真空中ポストアニールによって、光学バンドギャップは減少した。このとき、膜中の結合水素量が減少し、sp2C=Cの増加およびsp2炭素のクラスター化が促進されていることがわかった。N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果、490°Cのアニールを施したN-DLC/p型Siヘテロ接合の整流比が最も大きくなった。 
(英) We have prepared nitrogen doped diamond-like carbon (N-DLC) films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using H2 as a dilution gas and investigated the effects of post-annealing in a vacuum on the film properties. We found that optical bandgap slightly increased after post-annealing at 235 to 270°C, suggesting that the density of defect levels in bandgap decreased. On the other hand, it was found that the optical bandgap decreased after post-annealing at 420 to 490°C. At these temperatures, the amount of bound hydrogen in the films tended to decrease, whereas sp2C=C bonds increased and their clustering was enhanced. We examined the current-voltage characteristics of N-DLC/p-type Si heterojunctions and found that the heterojunction annealed at 490°C exhibited the highest rectification ratio.
キーワード (和) ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長 / 窒素 / ポストアニール / / / /  
(英) Diamond-like carbon / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Nitrogen / Post-annealing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 271, CPM2019-46, pp. 9-14, 2019年11月.
資料番号 CPM2019-46 
発行日 2019-10-31 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
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PDFダウンロード CPM2019-46

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2019-11-07 - 2019-11-08 
開催地(和) 福井大学 文京キャンパス 
開催地(英) Fukui univ. 
テーマ(和) 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス,一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2019-11-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Annealing effects on the properties of nitrogen doped DLC films 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) 窒素 / Nitrogen  
キーワード(4)(和/英) ポストアニール / Post-annealing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 長内 公哉 / Hiroya Osanai / オサナイ ヒロヤ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 和樹 / Kazuki Nakamura / ナカムラ カズキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 郡山 春人 / Haruto Koriyama / コオリヤマ ハルト
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi / コバヤシ ヤスユキ
第4著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta / エンタ ヨシハル
第5著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki / スズキ ユウシ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第8著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
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講演者
発表日時 2019-11-07 15:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2019-46 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.271 
ページ範囲 pp.9-14 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2019-10-31 


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