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講演抄録/キーワード
講演名 2019-10-24 15:10
次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム
前田 健大村裕弥黒田理人寺本章伸諏訪智之須川成利東北大SDM2019-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-65
抄録 (和) 様々な次世代メモリ材料の抵抗値を高精度に統計評価可能な抵抗測定プラットフォームについて報告する.開発したプラットフォームはセレクタのオン抵抗の影響を受けずに材料の抵抗値を測定できるため,1 Ω – 10 MΩのレンジで高精度な抵抗測定が可能である.メモリ材料に依らず共用可能な共通アレイテスト回路上にメモリ材料を形成する簡単なプロセスにより360,000セルの規模のメモリ材料の抵抗値を50 ms以内に測定可能である.今回,我々は6,000個のPoly-Siセルを測定し,新しく開発した抵抗測定プラットフォームの回路動作を検証した. 
(英) A high precision 1 Ω – 10 MΩ range resistance measurement platform is presented. The developed platform excludes on-resistance of selectors, resulting in high measurement accuracy across the measurement range of 1 Ω – 10 MΩ. The developed platform can accurately measure the resistance of various memory materials on a large scale of 360,000 cells within 50 ms. Various memory materials can be tested only by forming them on top of the platform. We can commonly use the platform regardless of memory materials. We verified the circuit operation by measuring 6,000 Poly-Si cells.
キーワード (和) 次世代メモリ / 抵抗測定 / 統計評価 / プラットフォーム / / / /  
(英) emerging memories / resistance measurement / statistical evaluation / platform / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-65, pp. 59-64, 2019年10月.
資料番号 SDM2019-65 
発行日 2019-10-16 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-65

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-10-23 - 2019-10-24 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Resistance Measurement Platform for Statistical Evaluation of Emerging Memory Materials with High Accuracy 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 次世代メモリ / emerging memories  
キーワード(2)(和/英) 抵抗測定 / resistance measurement  
キーワード(3)(和/英) 統計評価 / statistical evaluation  
キーワード(4)(和/英) プラットフォーム / platform  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 前田 健 / Takeru Maeda / マエダ タケル
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大村 裕弥 / Yuya Omura / オオムラ ユウヤ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 理人 / Rihito Kuroda / クロダ リヒト
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa / スワ トモユキ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa / スガワ シゲトシ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-10-24 15:10:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2019-65 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.239 
ページ範囲 pp.59-64 
ページ数
発行日 2019-10-16 (SDM) 


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