講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-10-24 15:10
次世代メモリ材料の高精度統計評価を行う抵抗測定プラットフォーム ○前田 健・大村裕弥・黒田理人・寺本章伸・諏訪智之・須川成利(東北大) SDM2019-65 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-65 |
抄録 |
(和) |
様々な次世代メモリ材料の抵抗値を高精度に統計評価可能な抵抗測定プラットフォームについて報告する.開発したプラットフォームはセレクタのオン抵抗の影響を受けずに材料の抵抗値を測定できるため,1 Ω – 10 MΩのレンジで高精度な抵抗測定が可能である.メモリ材料に依らず共用可能な共通アレイテスト回路上にメモリ材料を形成する簡単なプロセスにより360,000セルの規模のメモリ材料の抵抗値を50 ms以内に測定可能である.今回,我々は6,000個のPoly-Siセルを測定し,新しく開発した抵抗測定プラットフォームの回路動作を検証した. |
(英) |
A high precision 1 Ω – 10 MΩ range resistance measurement platform is presented. The developed platform excludes on-resistance of selectors, resulting in high measurement accuracy across the measurement range of 1 Ω – 10 MΩ. The developed platform can accurately measure the resistance of various memory materials on a large scale of 360,000 cells within 50 ms. Various memory materials can be tested only by forming them on top of the platform. We can commonly use the platform regardless of memory materials. We verified the circuit operation by measuring 6,000 Poly-Si cells. |
キーワード |
(和) |
次世代メモリ / 抵抗測定 / 統計評価 / プラットフォーム / / / / |
(英) |
emerging memories / resistance measurement / statistical evaluation / platform / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-65, pp. 59-64, 2019年10月. |
資料番号 |
SDM2019-65 |
発行日 |
2019-10-16 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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