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講演抄録/キーワード
講演名 2019-10-24 10:50
Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications
Rengie Mark D. MailigYuichiro ArugaMin Gee KimShun-ichiro OhmiTokyo TechSDM2019-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-61
抄録 (和) In this report, the effects of the TiN encapsulating layer on the low temperature formation of the PdErSi/Si(100) with dopant segregation (DS) process was investigated. To control the profile of the dopants before the DS process, the thickness of the TiN encapsulating layer was varied from 0 to 30 nm. This is to increase the number of segregated dopants along the interface after the DS process. Low SBH for hole of 0.20 eV with ideality factor of 1.08 for samples 25 nm TiN on 20 nm PdEr was realized. It was also found that the interface qualities of the PdErSi/Si(100) were improved by utilizing the TiN encapsulating layer as shown by the reduction of the density of interface states to 10-11 eV-1cm-2. 
(英) In this report, the effects of the TiN encapsulating layer on the low temperature formation of the PdErSi/Si(100) with dopant segregation (DS) process was investigated. To control the profile of the dopants before the DS process, the thickness of the TiN encapsulating layer was varied from 0 to 30 nm. This is to increase the number of segregated dopants along the interface after the DS process. Low SBH for hole of 0.20 eV with ideality factor of 1.08 for samples 25 nm TiN on 20 nm PdEr was realized. It was also found that the interface qualities of the PdErSi/Si(100) were improved by utilizing the TiN encapsulating layer as shown by the reduction of the density of interface states to 10-11 eV-1cm-2.
キーワード (和) PdEr-Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer / / / /  
(英) PdEr-Silicide / Dopant Segregation Process / Schottky Barrier Height / TiN Encapsulating Layer / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-61, pp. 39-43, 2019年10月.
資料番号 SDM2019-61 
発行日 2019-10-16 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-61 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-61

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-10-23 - 2019-10-24 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-10-SDM 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature formation of PdErSi/Si(100) for Schottky barrier source and drain MOSFET applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) PdEr-Silicide / PdEr-Silicide  
キーワード(2)(和/英) Dopant Segregation Process / Dopant Segregation Process  
キーワード(3)(和/英) Schottky Barrier Height / Schottky Barrier Height  
キーワード(4)(和/英) TiN Encapsulating Layer / TiN Encapsulating Layer  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Rengie Mark D. Mailig / Rengie Mark D. Mailig /
第1著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Yuichiro Aruga / Yuichiro Aruga /
第2著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Min Gee Kim / Min Gee Kim /
第3著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Shun-ichiro Ohmi / Shun-ichiro Ohmi /
第4著者 所属(和/英) Tokyo Institute of Technology (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-10-24 10:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2019-61 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.239 
ページ範囲 pp.39-43 
ページ数
発行日 2019-10-16 (SDM) 


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