講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-10-24 15:40
高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測 ○髙橋圭吾・Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva・黒田理人・藤原康行・村田真麻・石井秀和・森本達郎・諏訪智之・寺本章伸・須川成利(東北大) SDM2019-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-66 |
抄録 |
(和) |
70 dB超の信号対雑音比(SN比)と紫外波長帯域において高感度・高耐光性を有する横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量(LOFITreC) CMOS吸光イメージセンサを用いたガス濃度イメージングについて報告する.本センサと405 nmのLEDを用いて半導体プロセスチャンバー内に流れるNO2ガス濃度の二次元吸光イメージングを行った.その結果 NO2ガスの良好な検量線の取得とチャンバー内を流れるNO2ガスの濃度分布の撮像に成功した. |
(英) |
This paper reports on gas concentration imaging using lateral overflow integration trench capacitor(LOFITreC) CMOS absorption image sensor with signal-to-noise ratio (SNR) over 70 dB and high light resistance in the ultraviolet wavelength band. Two-dimensional absorption imaging of the concentration of NO2 gas flowing in a semiconductor process chamber was experimented using the developed sensor and a 405 nm LED light source. As a result, a good calibration curve of NO2 gas was obtained, and the concentration distribution of NO2 gas flowing in a process chamber was visualized. |
キーワード |
(和) |
分光イメージング / 濃度センサ / 吸光分析 / CMOSイメージセンサ / / / / |
(英) |
Spectral imaging / Concentration sensor / Absorption spectrometry / CMOS image sensor / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-66, pp. 65-68, 2019年10月. |
資料番号 |
SDM2019-66 |
発行日 |
2019-10-16 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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