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講演抄録/キーワード
講演名 2019-10-23 13:30
[招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE)
熊倉 翔木原嘉英本田昌伸東京エレクトロン宮城SDM2019-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-53
抄録 (和) Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの過程を繰り返すことで、原子層オーダーの加工を可能にする技術である. ALEプロセスでは、サイクル中にエッチング反応が自動的に原子層オーダーで停止する自己律速型反応 (Self-limited reaction)が重要な役割を担う.本反応を利用することで、表面のエッチング反応を原子層オーダーで制御することができ、5/7 nmノード以降の半導体デバイス製造に求められる超微細加工を可能にする. 本稿では、ALEの基本原理、その期待される効果を説明するとともに、被エッチング材ごとに開発された2つのALE技術について紹介する. 
(英) (Not available yet)
キーワード (和) Atomic layer etching / ALE / 異方性エッチング / Self-limited reaction / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-53, pp. 1-6, 2019年10月.
資料番号 SDM2019-53 
発行日 2019-10-16 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-53

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-10-23 - 2019-10-24 
開催地(和) 東北大学未来情報産業研究館5F 
開催地(英) Niche, Tohoku Univ. 
テーマ(和) プロセス科学と新プロセス技術 
テーマ(英) Process Science and New Process Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-10-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Atomic layer etching process utilizing plasma 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Atomic layer etching /  
キーワード(2)(和/英) ALE /  
キーワード(3)(和/英) 異方性エッチング /  
キーワード(4)(和/英) Self-limited reaction /  
キーワード(5)(和/英) /  
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キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊倉 翔 / Sho Kumakura / クマクラ ショウ
第1著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社 (略称: 東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd. (略称: Tokyo Electron Miyagi)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 木原 嘉英 / Yoshihide Kihara / キハラ ヨシヒデ
第2著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社 (略称: 東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd. (略称: Tokyo Electron Miyagi)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本田 昌伸 / Masanobu Honda / ホンダ マサノブ
第3著者 所属(和/英) 東京エレクトロン宮城株式会社 (略称: 東京エレクトロン宮城)
Tokyo Electron Miyagi Ltd. (略称: Tokyo Electron Miyagi)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-10-23 13:30:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2019-53 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.239 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数
発行日 2019-10-16 (SDM) 


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