講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-10-23 13:30
[招待講演]プラズマを用いた原子層エッチング(ALE) ○熊倉 翔・木原嘉英・本田昌伸(東京エレクトロン宮城) SDM2019-53 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-53 |
抄録 |
(和) |
Atomic layer etching (ALE)は、エッチングプロセスにおける吸着過程と反応過程を分離し、それぞれの過程を繰り返すことで、原子層オーダーの加工を可能にする技術である. ALEプロセスでは、サイクル中にエッチング反応が自動的に原子層オーダーで停止する自己律速型反応 (Self-limited reaction)が重要な役割を担う.本反応を利用することで、表面のエッチング反応を原子層オーダーで制御することができ、5/7 nmノード以降の半導体デバイス製造に求められる超微細加工を可能にする. 本稿では、ALEの基本原理、その期待される効果を説明するとともに、被エッチング材ごとに開発された2つのALE技術について紹介する. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
Atomic layer etching / ALE / 異方性エッチング / Self-limited reaction / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 239, SDM2019-53, pp. 1-6, 2019年10月. |
資料番号 |
SDM2019-53 |
発行日 |
2019-10-16 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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