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講演抄録/キーワード
講演名 2019-10-18 14:15
単結晶ダイヤモンドへのスピン注入に向けた電極形成に関する研究
アブバクル エスラム坂井拓也ゼクリア アブデルラーマン九大)・片宗優貴九工大)・大曲新矢産総研)・妹川 要池上 浩九大)・堺 研一郎久留米高専)・吉武 剛九大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 単結晶ダイヤモンドは長いスピン輸送長を可能とする材料として極めて有望である. ダイヤモンドは5.47 eVの大きなバンドギャップを有するために強磁性金属からのキャリアの注入は容易ではない.単結晶ダイヤモンド上に高導電層を形成するために,レーザー誘起表面ドーピング技術を適用した. ダイヤモンド板をホウ酸水溶液に浸した状態で193 nmのパルスレーザービームを照射した.照射領域の表面の電気伝導度は、レーザーフルエンスとレーザーショット数の増加とともに増加した. 温度上昇とともに導電率は増加することから照射後に形成された表面層は半導体である.二次イオン質量スペクトルにおけるホウ素の深さプロファイルから,表面下40nmの深さまでホウ素原子が侵入していることがわかった. 
(英) Singlecrystalline diamond is a candidate as long-distance spin transport materials. Since diamond possesses a wide bandgap of 5.47 eV, the injection of carriers from ferromagnetic metals is not easy. To form highly conductive layers on singlecrystalline diamond, a laser-induced surface doping technique was employed. 193-nm pulsed laser beams were irradiated onto a diamond plate immersed in boric acid which acts as a dopant source. The surface electrical conductivity increases with increasing laser fluence and number of laser shots. Furthermore, the conductivity increases with increasing temperature, which implies that the surface layer is semiconducting. The depth profile of boron in secondary ion mass spectra showed the incorporation of boron atoms into depths of 40 nm below the surface.
キーワード (和) 単結晶ダイヤモンド / レーザー誘起ドープ / ボロン / ダイヤモンド / ドーピング / レーザー応用 / p型 / 電極  
(英) singlecrystalline diamond / laser-induced doping / boron / diamond / doping / laser application / p-type / electrodes  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 232, MRIS2019-37, pp. 119-122, 2019年10月.
資料番号 MRIS2019-37 
発行日 2019-10-10 (MRIS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS IEE-MAG  
開催期間 2019-10-17 - 2019-10-18 
開催地(和) 九州大学 (西新プラザ) 
開催地(英) Kyushu University (Nishijin Plaza) 
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,一般 
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2019-10-MRIS-MMS-MAG 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 単結晶ダイヤモンドへのスピン注入に向けた電極形成に関する研究 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study on electrode formation for spin injection into singlecrystalline diamond 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 単結晶ダイヤモンド / singlecrystalline diamond  
キーワード(2)(和/英) レーザー誘起ドープ / laser-induced doping  
キーワード(3)(和/英) ボロン / boron  
キーワード(4)(和/英) ダイヤモンド / diamond  
キーワード(5)(和/英) ドーピング / doping  
キーワード(6)(和/英) レーザー応用 / laser application  
キーワード(7)(和/英) p型 / p-type  
キーワード(8)(和/英) 電極 / electrodes  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) アブバクル エスラム / Eslam Abubakr / アブバクル エスラム
第1著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu university (略称: KU)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂井 拓也 / Takuya Sakai / サカイ タクヤ
第2著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: KU)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ゼクリア アブデルラーマン / Abdelrahman Zkria / ゼクリア アブデルラーマン
第3著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: KU)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 片宗 優貴 / Yuki Katamune / カタムネ ユウキ
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大曲 新矢 / Shinya Ohmagari / オオマガリ シンヤ
第5著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
The National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 妹川 要 / Kaname Imokawa / イモカワ カナメ
第6著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: KU)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue / イケノウエ ヒロシ
第7著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: KU)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 堺 研一郎 / Ken-ichiro Sakai / サカイ ケンイチロウ
第8著者 所属(和/英) 久留米工業高等専門学校 (略称: 久留米高専)
Kurume College (略称: Kurume Coll)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉武 剛 / Tsuyoshi Yoshitake / ヨシタケ ツヨシ
第9著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: KU)
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講演者
発表日時 2019-10-18 14:15:00 
発表時間 15 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MRIS2019-37 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.232 
ページ範囲 pp.119-122 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-MRIS-2019-10-10 


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