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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-08-26 15:50 オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 ○中澤日出樹・奈良友奎・葛西大希（弘前大）  CPM2019-42 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-42 |
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| 抄録 | （和） | これまで、AlN/Si基板上にSiC低温バッファ層を形成しその上にSiC薄膜を成長させた後、高温加熱を施すことでグラフェンを形成する方法について報告してきた。グラフェンの更なる高品質化のために、オフ角を有するSi(110)基板を採用しているが、その上へのAlN中間層やSiCバッファ層などの形成条件の最適化が課題として残されている。本研究では、オフ角Si(110)基板上AlN層の結晶性および平坦性の基板温度依存性について調べた。また、モノメチルシラン圧力を変化させて形成したSiCバッファ層が、その上に成長したSiC薄膜の結晶性および平坦性に及ぼす影響について調べた。 |
| （英） | We have grown AlN films on off-axis Si(110) substrates by pulsed laser deposition (PLD) and then formed SiC buffer layers by ultra-low pressure chemical vapor deposition to investigate the effects of the formation conditions of these layers on the crystallinity and surface morphology of the SiC films grown thereon. We found that the AlN film grown at 800ºC showed the best quality between the grown AlN films. We next formed the SiC buffer layers at different monomethylsilane pressures on this AlN film to grow the SiC films. It was found that the SiC film grown on the SiC buffer layer formed at 2.0×10−2 Pa exhibited the best quality between the grown SiC films. | |
| キーワード | （和） | 炭化ケイ素 / 窒化アルミニウム / レーザーアブレーション / ヘテロエピタキシー / / / / |
| （英） | silicon carbide / aluminum nitride / pulsed laser deposition / heteroepitaxy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 181, CPM2019-42, pp. 23-28, 2019年8月. | |
| 資料番号 | CPM2019-42 | |
| 発行日 | 2019-08-19 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2019-42 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2019-42 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2019-08-26 - 2019-08-26 |
| 開催地（和） | 北見工業大学 1号館２F A-207講義室 |
| 開催地（英） | Kitami Institute of Technology |
| テーマ（和） | 電子部品・材料、一般 |
| テーマ（英） | Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2019-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of an AlN intermediate layer on an off-axis Si(110) substrate and SiC heteroepitaxial growth thereon |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭化ケイ素 / silicon carbide |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化アルミニウム / aluminum nitride |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアブレーション / pulsed laser deposition |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロエピタキシー / heteroepitaxy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 友奎 / Yuki Nara / ナラ ユウキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛西 大希 / Hiroki Kasai / カサイ ヒロキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 弘前大学 (略称： 弘前大) Hirosaki University (略称： Hirosaki Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-26 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2019-42 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.181 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-08-19 (CPM) |
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