電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-22 16:45
[招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリ)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化された3Dフラッシュメモリが主流となっている。この3Dフラッシュメモリは従来の平面型(2D)フラッシュメモリとは異なる構造やプロセスが採用されているため、微細化・大容量化の進行に伴って信頼性の視点でも新たな課題が見えてきている。本発表では、3Dフラッシュメモリのメモリセルの信頼性にフォーカスし、従来の2Dフラッシュメモリとの比較を通して議論をすることを目的とする。 
(英) As conventional planar NAND flash memories are limited from physical and electrical scaling point of view, the three-dimensional flash memories, in which memory cells are stacked vertically, has rapidly achieved maturity to keep a trend of increasing bit density and reducing bit cost. To realize more capacity, total number of layers are increasing (>64 layers) and multi-level cell (MLC) operations are indispensable (>3bit/cell). Extending this capacity trend requires highly-reliable memory cell. This paper focus on the typical charge-trap type memory cells, and the reliability issues will be discussed
キーワード (和) フラッシュメモリ / 信頼性 / 絶縁膜 / 欠陥 / トラップ / / /  
(英) Flash memory / Reliability / Insulators / Defect / Trap / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 169, R2019-26, pp. 35-38, 2019年8月.
資料番号 R2019-26 
発行日 2019-08-15 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 LQE OPE CPM EMD R  
開催期間 2019-08-22 - 2019-08-23 
開催地(和) 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) 
開催地(英)  
テーマ(和) 受光素子,変調器,光部品・電子デバイス実装・信頼性,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2019-08-LQE-OPE-CPM-EMD-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 3D Flash Memory Cell Reliability 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フラッシュメモリ / Flash memory  
キーワード(2)(和/英) 信頼性 / Reliability  
キーワード(3)(和/英) 絶縁膜 / Insulators  
キーワード(4)(和/英) 欠陥 / Defect  
キーワード(5)(和/英) トラップ / Trap  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三谷 祐一郎 / Yuichiro Mitani / ミタニ ユウイチロウ
第1著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: Toshiba Memory)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 関 春海 / Harumi Seki /
第2著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: Toshiba Memory)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅野 孝典 / Takanori Asano /
第3著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: Toshiba Memory)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中崎 靖 / Yasushi Nakasaki /
第4著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: Toshiba Memory)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2019-08-22 16:45:00 
発表時間 45 
申込先研究会 R 
資料番号 IEICE-R2019-26,IEICE-EMD2019-24,IEICE-CPM2019-25,IEICE-OPE2019-53,IEICE-LQE2019-31 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.169(R), no.170(EMD), no.171(CPM), no.172(OPE), no.173(LQE) 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-R-2019-08-15,IEICE-EMD-2019-08-15,IEICE-CPM-2019-08-15,IEICE-OPE-2019-08-15,IEICE-LQE-2019-08-15 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会