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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-09 14:35
極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ
山田拓弥井田次郎森 貴之安丸暢彦伊東健治金沢工大)・石橋考一郎電通大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 本報告では,我々の研究室で提案した急峻なサブスレッショルド特性を持つPN-Body Tied (PNBT) SOI-FETをDiode接続したPNBT Diodeを整流素子として用いたレクテナの整流効率に関するシミュレーションを行った.シミュレーションより,閾値調整を行い,super steepの発生電圧を0 V付近に近づけることで整流効率が大きく改善されることが確認できた.また,ゲート幅を大きくすることでsuper steep発生電圧が少し高くても整流素子として適用可能であることが確認できた. 
(英) In this report,we have simulated the rectification efficiency of the rectenna using PNBT Diode that is a diode-connected PN-body Tied SOI-FET with super steep subthreshold characteristics proposed in our laboratory.From the simulation, it was confirmed that the rectification efficiency is greatly improved by moving the threshold voltage of the super steep close to 0 V by adjusting the threshold. In addition,it was confirmed that the device can be applied as a rectifier even if the super steep voltage is slightly high by increasing the gate width
キーワード (和) RFエネルギーハーベスティング / SOI-FET / / / / / /  
(英) RF Energy Harvesting / SOI-FET / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-52, pp. 95-98, 2019年8月.
資料番号 SDM2019-52 
発行日 2019-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極急峻SSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電力レクテナ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Ultra Low power rectenna with super SS "PN-Body Tied SOI-FET" 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RFエネルギーハーベスティング / RF Energy Harvesting  
キーワード(2)(和/英) SOI-FET / SOI-FET  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 安丸 暢彦 / Nobuhiko Yasumaru /
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh /
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 考一郎 / Koichiro Ishibashi /
第6著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者
発表日時 2019-08-09 14:35:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-52,IEICE-ICD2019-17 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.161(SDM), no.162(ICD) 
ページ範囲 pp.95-98 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2019-07-31,IEICE-ICD-2019-07-31 


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