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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-09 11:40
Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性
齊藤 敦岡 大輝加藤圭起倉科大輔鈴木快飛仲田優介中島健介山形大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) THz 波リアルタイムイメージングを目的としたspiral 型MKIDs の設計とNbN薄膜を用いた4K 動作デバイスの作製・評価について報告する。m面sapphire 基板上でNbN 薄膜がエピタキシャル成長する条件を用いて,膜厚の異なるspiral-MKIDs を作製し,NbN膜厚に対して電磁波応答特性とデバイスの無負荷Q値がトレードオフの関係にあることを実験的に明らかにした。また,雑音等価電力(NEP)の膜厚依存性から最適な膜厚が3~4 nmであることと,NEP ~ 1.0×10-13 W/Hz1/2 @ 3.7 K を得た。 
(英) We report on the design of spiral-MKIDs for THz wave real-time imaging and the fabrication and evaluation of 4K operation devices using NbN thin films. We fabricated spiral-MKIDs with different film thicknesses using deposition conditions for epitaxially grown NbN films on m-plane sapphire substrates, and experimentally clarified that the response characteristics of the electromagnetic wave and the unloaded Q values of the devices have a trade-off relationship with the NbN film thickness. In addition, the film thickness dependence of noise equivalent power (NEP) gave an optimum film thickness of 3 to 4 nm and NEP ~ 1.0×10-13 W/Hz1/2 @ 3.7 K.
キーワード (和) NbN / spiral-MKIDs / 雑音等価電力 / / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 164, SCE2019-12, pp. 21-26, 2019年8月.
資料番号 SCE2019-12 
発行日 2019-08-02 (SCE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SCE  
開催期間 2019-08-09 - 2019-08-09 
開催地(和) 産業技術総合研究所 
開催地(英) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 
テーマ(和) デバイス関係、薄膜、一般 
テーマ(英) Device, think film, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SCE 
会議コード 2019-08-SCE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Spiral-MKIDsにおける雑音等価電力のNbN膜厚依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Dependence of noise equivalent power on NbN film thickness of spiral-MKIDs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NbN /  
キーワード(2)(和/英) spiral-MKIDs /  
キーワード(3)(和/英) 雑音等価電力 /  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 敦 / Atsushi Saito / サイトウ アツシ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡 大輝 / Daiki Oka / オカ ダイキ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 圭起 / Yoshiki Kato / カトウ ヨシキ
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 倉科 大輔 / Daisuke Kurashina / クラシナ ダイスケ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 快飛 / Kaito Suzuki / スズキ カイト
第5著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 仲田 優介 / Yusuke Nakada / ナカダ ユウスケ
第6著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中島 健介 / Kensuke Nakajima / ナカジマ ケンスケ
第7著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者
発表日時 2019-08-09 11:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SCE 
資料番号 IEICE-SCE2019-12 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.164 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SCE-2019-08-02 


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