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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-09 09:30
[招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
抄録 (和) 強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集めている.その中でも高速性・低消費電力・高密度性から強誘電体トランジスタ型メモリ(FeFET)への関心が高い.特に最近NANDフラッシュメモリのような3次元積層構造のFeFETが提案されている.しかしNANDフラッシュと同様にチャネルとして薄膜ポリシリコンを用いると性能と信頼性の点で大きな課題を抱えることになる.本研究ではチャネル材料として高移動度金属酸化膜であるIGZOを用いることを提案し,高性能かつ高信頼な3次元積層型FeFETメモリの実現可能性について議論する 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) 強誘電体 / HfO2 / トランジスタ / メモリ / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-45, pp. 59-62, 2019年8月.
資料番号 SDM2019-45 
発行日 2019-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-45 ICD2019-10

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A study on a ferroelectric transistor memory with ultrathin IGZO channel 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 強誘電体 /  
キーワード(2)(和/英) HfO2 /  
キーワード(3)(和/英) トランジスタ /  
キーワード(4)(和/英) メモリ /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 正治 / Masaharu Kobayashi / コバヤシ マサハル
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 莫 非 / Fei Mo / バク ヒ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 多川 友作 / Yusaku Tagawa / タガワ ユウサク
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 金 成吉 / Chengji Jin / ジン チェンジ―
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安 珉柱 / MinJu Ahn / アン ミンジュ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto / ヒラモト トシロウ
第7著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
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講演者
発表日時 2019-08-09 09:30:00 
発表時間 45 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-45,IEICE-ICD2019-10 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.161(SDM), no.162(ICD) 
ページ範囲 pp.59-62 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2019-07-31,IEICE-ICD-2019-07-31 


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