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| 講演名 | 2019-08-09 14:10 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 ○矢吹 亘・井田次郎・森 貴之（金沢工大）・石橋孝一郎（電通大）・新井康夫（高エネルギー加速器研究機構）  SDM2019-51 ICD2019-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-51 ICD2019-16 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBox中の固定電荷(Qox)と基板バイアス(Vsub)の影響について報告する。Qoxは新たに設計したテストデバイスの高周波C-V特性から評価を行った。特に、P-channel PNBT では、Qoxの影響を取り除き、急峻なSSを実現するための基板バイアスの必要性を実測およびシミュレーションにより体系的に確認した。また、静的時にみられるVsub やQox による電位ポテンシャルの僅かな変動が、PNBT構造による正のフィードバック後の電位ポテンシャルに大きな違いをもたらすことを確認した。最後に、基板バイアスを必要としないCMOSを実現するためのPNBT構造の改善について提案する。 |
| （英） | In this study, We report the effect of the substrate bias (Vsub) and the positive charge (Qox) in the buried oxide (BOX) on super steep subthreshold slope (SS) “PN Body-Tied (PNBT) SOI-FET” proposed in our laboratory. The Qox in the BOX was evaluated with the specific test device. Removing the effect of the Qox and realizing the super steep SS, the necessity of Vsub, especially on P-channel, was systematically confirmed with measurements and simulations. It was founded out that the positive feedback by PNBT contributes to making the barrier height for reducing the leakage current and realizing the super steep SS, although the difference of the static barrier height is small only with Vsub and the Qox. We also propose modification on PNBT structure for realizing CMOS without Vsub bias. | |
| キーワード | （和） | SOI-FET / Steep Subthreshold Slope / Oxide Charge / / / / / |
| （英） | SOI-FET / Steep Subthreshold Slope / Oxide Charge / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-51, pp. 89-93, 2019年8月. | |
| 資料番号 | SDM2019-51 | |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-51 ICD2019-16 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-51 ICD2019-16 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ICD ITE-IST |
| 開催期間 | 2019-08-07 - 2019-08-09 |
| 開催地（和） | 北海道大学 情報科学院 3F A31 |
| 開催地（英） | Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and |
| テーマ（和） | アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-08-SDM-ICD-IST |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SOI-FET / SOI-FET |
| キーワード(2)（和/英） | Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope |
| キーワード(3)（和/英） | Oxide Charge / Oxide Charge |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢吹 亘 / Wataru Yabuki / ヤブキ ワタル |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 金沢工業大学 (略称： 金沢工大) Kanazawa Institute of Technology (略称： KIT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 高エネルギー加速器研究機構 (略称： 高エネルギー加速器研究機構) High Energy Accelerator Research Organization (略称： KEK) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-08-09 14:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-51, ICD2019-16 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.161(SDM), no.162(ICD) |
| ページ範囲 | pp.89-93 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-07-31 (SDM, ICD) |
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