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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-09 14:10
急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響
矢吹 亘井田次郎森 貴之金沢工大)・石橋孝一郎電通大)・新井康夫高エネルギー加速器研究機構SDM2019-51 ICD2019-16
抄録 (和) 本研究では、我々が提案している急峻なsubthreshold slope (SS)を持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBox中の固定電荷(Qox)と基板バイアス(Vsub)の影響について報告する。Qoxは新たに設計したテストデバイスの高周波C-V特性から評価を行った。特に、P-channel PNBT では、Qoxの影響を取り除き、急峻なSSを実現するための基板バイアスの必要性を実測およびシミュレーションにより体系的に確認した。また、静的時にみられるVsub やQox による電位ポテンシャルの僅かな変動が、PNBT構造による正のフィードバック後の電位ポテンシャルに大きな違いをもたらすことを確認した。最後に、基板バイアスを必要としないCMOSを実現するためのPNBT構造の改善について提案する。 
(英) In this study, We report the effect of the substrate bias (Vsub) and the positive charge (Qox) in the buried oxide (BOX) on super steep subthreshold slope (SS) “PN Body-Tied (PNBT) SOI-FET” proposed in our laboratory. The Qox in the BOX was evaluated with the specific test device. Removing the effect of the Qox and realizing the super steep SS, the necessity of Vsub, especially on P-channel, was systematically confirmed with measurements and simulations. It was founded out that the positive feedback by PNBT contributes to making the barrier height for reducing the leakage current and realizing the super steep SS, although the difference of the static barrier height is small only with Vsub and the Qox. We also propose modification on PNBT structure for realizing CMOS without Vsub bias.
キーワード (和) SOI-FET / Steep Subthreshold Slope / Oxide Charge / / / / /  
(英) SOI-FET / Steep Subthreshold Slope / Oxide Charge / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-51, pp. 89-93, 2019年8月.
資料番号 SDM2019-51 
発行日 2019-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード SDM2019-51 ICD2019-16

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 急峻なSSを持つ“PN Body-Tied SOI-FET”におけるBOX中の正電荷と基板バイアスの影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Vsub and Positive Charge in Buried Oxide on Super Steep SS “PN Body-Tied SOI-FET” 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SOI-FET / SOI-FET  
キーワード(2)(和/英) Steep Subthreshold Slope / Steep Subthreshold Slope  
キーワード(3)(和/英) Oxide Charge / Oxide Charge  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢吹 亘 / Wataru Yabuki / ヤブキ ワタル
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石橋 孝一郎 / Koichiro Ishibashi / イシバシ コウイチロウ
第4著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
University of Electro-Communications (略称: UEC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 新井 康夫 / Yasuo Arai / アライ ヤスオ
第5著者 所属(和/英) 高エネルギー加速器研究機構 (略称: 高エネルギー加速器研究機構)
High Energy Accelerator Research Organization (略称: KEK)
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講演者
発表日時 2019-08-09 14:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-51,IEICE-ICD2019-16 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.161(SDM), no.162(ICD) 
ページ範囲 pp.89-93 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2019-07-31,IEICE-ICD-2019-07-31 


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