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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-08 09:15
[招待講演]汎用メモリを利用した量子アニーリング機械の提案
棚本哲史帝京大SDM2019-40 ICD2019-5
抄録 (和) 量子アニーリング装置は、デジタルコンピュータより効率的に組み合わせ最適化問題を解く可能性があり、研究者を含めた多くの人々の注目を集めている。
ここでは、半導体浮遊ゲート(FG)アレイを利用した量子アニーリング機械について、これまでに得られた理論的結果を報告する。
NANDフラッシュメモリを使用する理由は、量子ビットの大規模化を目指す場合、成熟したテクノロジーを再利用することができるからである。
現在の高密度NANDフラッシュメモリには、セルの密度が高いために生じるセル間相互作用がメモリ機能の障害となっているが、
この相互作用を利用することで、NANDフラッシュメモリの量子システム化が可能となる。
市販の64ギガビットNANDの製造プロセスを利用できれば、2メガバイト(MB)の量子ビット系を作成することが可能であることが期待される。
もちろん、実際に高品質の量子ビットを達成するためには多くの改善が必要であるが、
商業用の電子回路の小型化の自然な拡張として大きな量子ビットシステムができる利点は多いと考える。 
(英) The development of quantum annealing machines (QAMs) based on superconducting qubits
has progressed considerably in recent years.
On the other hand, QAMs based on semiconductor nanostructures
such as quantum dots (QDs) appear to be still at the initial elementary research stage.
Here, we report a QAM based on semiconductor
nanostructures such as floating gates (FGs) from the viewpoint of qubit integration.
We theoretically propose the use of conventional high-density memories such as NAND flash memories
for the QAM rather than the construction of a semiconductor qubit system from scratch.
A large qubit system will be obtainable
as a natural extension of the miniaturization of commercial-grade electronics.
キーワード (和) 量子アニーリング / 量子ビット / 組み合わせ最適化 / NANDフラッシュ / メモリ / / /  
(英) quantum annealing / qubit / NAND flash memory / memory / conbitoa / Combination problem / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-40, pp. 21-26, 2019年8月.
資料番号 SDM2019-40 
発行日 2019-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2019-40 ICD2019-5

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 汎用メモリを利用した量子アニーリング機械の提案 
サブタイトル(和)  
タイトル(英)
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子アニーリング / quantum annealing  
キーワード(2)(和/英) 量子ビット / qubit  
キーワード(3)(和/英) 組み合わせ最適化 / NAND flash memory  
キーワード(4)(和/英) NANDフラッシュ / memory  
キーワード(5)(和/英) メモリ / conbitoa  
キーワード(6)(和/英) / Combination problem  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 棚本 哲史 / Tetsufumi Tanamoto / タナモト テツフミ
第1著者 所属(和/英) 帝京大学 (略称: 帝京大)
Teikyo University (略称: Teikyo Univ.)
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講演者
発表日時 2019-08-08 09:15:00 
発表時間 45 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-40,IEICE-ICD2019-5 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.161(SDM), no.162(ICD) 
ページ範囲 pp.21-26 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2019-07-31,IEICE-ICD-2019-07-31 


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