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講演抄録/キーワード
講演名 2019-08-07 16:30
[招待講演]28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術
下井貴裕斉藤朋也長瀬寛和伊豆名雅之神田明彦伊藤 孝河野隆司ルネサス エレクトロニクス
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抄録 (和) 28nmスプリットゲートMONOS(SG-MONOS)型フラッシュメモリを用いた、ハードウェアセキュリティ向けの高信頼のPhysical Unclonable Functions (PUF)に関して報告する。SG-MONOSの初期Vtを利用したPUFを試作し、電圧、温度、経時変化に対しての安定性を確認した。さらに、新たに実装されたオフセット読み出し方式により、ECCを用いずにPUFのエラー率0%を達成した。 
(英) Highly reliable Physical Unclonable Functions (PUF) based on 28nm Split-Gate MONOS (SG-MONOS) embedded flash memory is developed for hardware security applications. In this paper, we investigate wide range tolerance on applied voltage, temperature and aging influence for basic PUF characteristics utilizing SG-MONOS initial Vt variation. High-temperature stable PUF at the junction temperature (Tj) of 170oC can be confirmed by applying widely used automotive quality SG-MONOS flash memory. In addition, newly implemented offset read scheme achieves 0% error rate for PUF reliability without ECC.
キーワード (和) Flash Memory / SG-MONOS / security / Physical Unclonable Functions / PUF / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 161, SDM2019-39, pp. 15-19, 2019年8月.
資料番号 SDM2019-39 
発行日 2019-07-31 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM ICD ITE-IST  
開催期間 2019-08-07 - 2019-08-09 
開催地(和) 北海道大学 情報科学院 3F A31 
開催地(英) Hokkaido Univ., Graduate School /Faculty of Information Science and 
テーマ(和) アナログ、アナデジ混載、RF及びセンサインタフェース回路、低電圧・低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Analog, Mixed Analog and Digital, RF, and Sensor Interface, Low Voltage/Low Power Techniques, Novel Devices/Circuits, and the Applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-08-SDM-ICD-IST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 28nmスプリットゲートMONOS型フラッシュメモリを用いた高温動作かつ低エラー率を実現するPUF技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-temperature stable Physical Unclonable Functions with error-free readout scheme based on 28nm SGMONOS flash memory for security applications 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Flash Memory /  
キーワード(2)(和/英) SG-MONOS /  
キーワード(3)(和/英) security /  
キーワード(4)(和/英) Physical Unclonable Functions /  
キーワード(5)(和/英) PUF /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 下井 貴裕 / Takahiro Shimoi / シモイ タカヒロ
第1著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 斉藤 朋也 / Tomoya Saito / サイトウ トモヤ
第2著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 長瀬 寛和 / Hirokazu Nagase / ナガセ ヒロカズ
第3著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊豆名 雅之 / Masayuki Izuna / イズナ マサユキ
第4著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 神田 明彦 / Akihiko Kanda / カンダ アキヒコ
第5著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 孝 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第6著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 河野 隆司 / Takashi Kono / コウノ タカシ
第7著者 所属(和/英) ルネサスエレクトロニクス株式会社 (略称: ルネサス エレクトロニクス)
Renesas Electronics Corporation (略称: Renesas Electronics)
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講演者
発表日時 2019-08-07 16:30:00 
発表時間 45 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-39,IEICE-ICD2019-4 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.161(SDM), no.162(ICD) 
ページ範囲 pp.15-19 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2019-07-31,IEICE-ICD-2019-07-31 


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