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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-06-21 11:40 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 ○小林征登・大田晃生・黒澤昌志・洗平昌晃・田岡紀之・池田弥央・牧原克典・宮﨑誠一（名大）  SDM2019-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-27 |
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| 抄録 | （和） | 金属薄膜へのゲルマニウム(Ge)の固溶・偏析を利用してGeの二次元結晶を作成することを目的として、Geと共晶反応を示すAlを化学溶液洗浄したGe(111)上に真空蒸着し、熱処理前後で化学構造や結晶状態を調べた。Al蒸着時の堆積速度や膜厚を制御することによりGe(111)上にAlをヘテロエピタキシャル成長できることが分かった。さらに、真空中熱処理による試料表面の平坦化とGe析出について系統的に調べ、厚さ1nm以下の極薄Ge層をAl薄膜上に形成できることを明らかにした。 |
| （英） | We have studied the chemical and crystallographic structures of vacuum evaporated Al/Ge(111) before and after the thermal annealing to form the germenium (Ge) two dimensional (2D) crystals on the surface by the control of Ge segregation from Al. Hetero-epitaxial Al was found to be grown on Ge(111) by control the Al thickness and deposition rate during the vacuum evaporation. Surface flattening and Ge segregation on Al/Ge(111) structure by vacuume annealing were systematically investigated, and ultrathin segragated-Ge crystals with the thickness below 1 nm can be formed on the hetero-epitaxial Al surface. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム (Ge) / 結晶成長 / 薄膜 / 化学構造 / / / / |
| （英） | Germanium (Ge) / Crystal Growth / Thin Film / Chemical Structure / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-27, pp. 11-15, 2019年6月. | |
| 資料番号 | SDM2019-27 | |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2019-27 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2019-27 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-06-21 - 2019-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学 VBL３F |
| 開催地（英） | Nagoya Univ. VBL3F |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface by Thermal Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム (Ge) / Germanium (Ge) |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶成長 / Crystal Growth |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜 / Thin Film |
| キーワード(4)（和/英） | 化学構造 / Chemical Structure |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 征登 / Masato Kobayashi / コバヤシ マサト |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大田 晃生 / Akio Ohta / オオタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa / クロサワ マサシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 洗平 昌晃 / Masaaki Araidai / アライダイ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田岡 紀之 / Noriyuki Taoka / タオカ ノリユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮﨑 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-06-21 11:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2019-27 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.96 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2019-06-14 (SDM) |
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