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講演抄録/キーワード
講演名 2019-06-21 14:30
[依頼講演]光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測
筒井一生東工大)・松下智裕高輝度光科学研究センター)・名取鼓太郞小川達博東工大)・室 隆桂之高輝度光科学研究センター)・森川良忠阪大)・星井拓也角嶋邦之若林 整東工大)・林 好一名工大)・松井文彦分子科学研)・木下豊彦高輝度光科学研究センターSDM2019-30
抄録 (和) 光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、Si結晶格子を単独で置換して電気的に活性化した構造、AsnV(n=2~4)と呼ばれているクラスター構造および局所的に秩序性のない構造でいずれも電気的に不活性な状態の三種類の構造で共存していることがわかった。 
(英) Photoelectron holography method combined with first-principles simulations determined the local three-dimensional atomic structures of arsenic (As) atoms doped in a silicon (Si) crystal. Presence of the three types of As atomic structures were revealed; electrically active As occupying substitutional sites, electrically inactive As embedded in the AsnV(n=2~4) type clusters, and electrically inactive As in locally disordered structures.
キーワード (和) 光電子ホログラフィー / 不純物 / ドーパント / クラスター / ヒ素(As) / シリコン(Si) / /  
(英) photoelectron holography / impurity / dopant / cluster / arsenic (As) / silicon (Si) / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-30, pp. 23-27, 2019年6月.
資料番号 SDM2019-30 
発行日 2019-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-06-21 - 2019-06-21 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Observation of three dimensional atomic arrangements of active and inactive impurities heavy doped in silicon by using photoelectron holography method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光電子ホログラフィー / photoelectron holography  
キーワード(2)(和/英) 不純物 / impurity  
キーワード(3)(和/英) ドーパント / dopant  
キーワード(4)(和/英) クラスター / cluster  
キーワード(5)(和/英) ヒ素(As) / arsenic (As)  
キーワード(6)(和/英) シリコン(Si) / silicon (Si)  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松下 智裕 / Tomohiro Matsushita / マツシタ トモヒロ
第2著者 所属(和/英) 高輝度光科学研究センター (略称: 高輝度光科学研究センター)
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称: JASRI)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 名取 鼓太郞 / Kotaro Natori / ナトリ コタロウ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 達博 / Tatsuhiro Ogawa / オガワ タツヒロ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 室 隆桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ
第5著者 所属(和/英) 高輝度光科学研究センター (略称: 高輝度光科学研究センター)
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称: JASRI)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 森川 良忠 / Yoshitada Morikawa / モリカワ ヨシタダ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi / ワカバヤシ ヒトシ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 林 好一 / Kouichi Hayashi / ハヤシ コウイチ
第10著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 文彦 / Fumihiko Matsui / マツイ フミヒコ
第11著者 所属(和/英) 分子科学研究所 (略称: 分子科学研)
Institute for Molecular Science (略称: Inst. Molecular Science)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 豊彦 / Toyohiko Kinoshita / キノシタ トヨヒコ
第12著者 所属(和/英) 高輝度光科学研究センター (略称: 高輝度光科学研究センター)
Japan Synchrotron Radiation Research Institute (略称: JASRI)
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講演者
発表日時 2019-06-21 14:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-30 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.96 
ページ範囲 pp.23-27 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2019-06-14 


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