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講演抄録/キーワード
講演名 2019-06-21 15:45
超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
矢嶋赳彬東大)・佐俣勇佑西村知紀鳥海 明JST
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抄録 (和) 我々は超高誘電率(比誘電率~110)を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子をVO2チャネルに蓄積し、固体素子で初めてゲート電圧によるVO2の金属絶縁体転移を実証してきた。本研究ではさらに、VO2チャネル面内での金属絶縁体転移のばらつきを抑制することで、1mV/decを上回る超急峻なスイッチング特性を実現した。本素子を用いてゲート電圧とドレイン電圧に対するVO2チャネルの相図を作製した結果、「ドレイン電圧の影響が相転移のばらつきを上回るときに急峻なスイッチング特性が発現する」というモットトランジスタならではの設計指針が得られた。 
(英) The characteristics of the VO2-channel Mott transistor is systematically studied. The transfer characteristics shows a complete phase transition of the VO2 channel from the insulating state to the metallic state as a func-tion of the gate voltage. Interestingly, the transfer char-acteristics has a universal point at a critical gate voltage, where the channel current is almost independent of the applied drain voltage. When the gate voltage is swept across this universal point, the channel current discon-tinuously jumps showing an exceptionally low sub-threshold swing < 0.5 mV/dec, although accompa-nied by a hysteresis. The observed discontinuity in the channel current can be well understood by the negative resistance instability of the phase-coexisting VO2 channel, which can be utilized for designing a ultra-low-voltage switch in the Mott transistor.
キーワード (和) 金属絶縁体転移 / モットトランジスタ / VO2 / / / / /  
(英) Metal-insulator transition / Mott transistor / VO2 / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-32, pp. 35-38, 2019年6月.
資料番号 SDM2019-32 
発行日 2019-06-14 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-06-21 - 2019-06-21 
開催地(和) 名古屋大学 VBL3F 
開催地(英) Nagoya Univ. VBL3F 
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) 
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) New Operation Mode of VO2-Channel Mott Transistors for Ultra-Sharp ON/OFF Switching 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 金属絶縁体転移 / Metal-insulator transition  
キーワード(2)(和/英) モットトランジスタ / Mott transistor  
キーワード(3)(和/英) VO2 / VO2  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 矢嶋 赳彬 / Takeaki Yajima / ヤジマ タケアキ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐俣 勇佑 / Yusuke Samata / サマタ ユウスケ
第2著者 所属(和/英) JST さきがけ (略称: JST)
JST PRESTO (略称: JST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 知紀 / Tomonori Nishimura / ニシムラ トモノリ
第3著者 所属(和/英) JST さきがけ (略称: JST)
JST PRESTO (略称: JST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Toriumi / トリウミ アキラ
第4著者 所属(和/英) JST さきがけ (略称: JST)
JST PRESTO (略称: JST)
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講演者
発表日時 2019-06-21 15:45:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2019-32 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.96 
ページ範囲 pp.35-38 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2019-06-14 


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