講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-06-21 16:05
超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション ○小川湧太郎・野原弘晶・白川裕規・洗平昌晃・白石賢二(名大) SDM2019-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2019-33 |
抄録 |
(和) |
超格子GeTe/Sb2Te3は次世代不揮発性メモリとして期待されているInterfacial Phase Change Memory(iPCM)のメモリ素子に使われる材料 である。 白川らは超格子GeTe/Sb2Te3の新しい高抵抗および低抵抗状態(HRS/LRS)の原子構造を提案した。しかし白川らのMD計算アモルファス化させたGeTe層を持つ中間構造を初期状態としており、実際のメモリ内部で引き起こされるスイッチング過程とは異なっている。そこで本研究では密度汎関数法に基づく第一原理分子動力学 (MD)計算を用いて、HRSを初期構造としてLRSへスイッチングするか、反対にLRSを初期構造としてHRSへスイッチングするかを検証した。その結果、白川らが提案したHRSとLRSの間のスイッチングの過程を見ることができ、iPCMのスイッチングメカニズムおよびHRSとLRSを明らかにすることができた。 |
(英) |
GeTe/ Sb2Te3 superlattice is used in memory elements of interfacial phase change memory (iPCM). iPCM is one of the most promising candidates of next generation non-volatile memories. The structural change with resistive switching of GeTe/Sb2Te3 superlattice is triggered by movement of Ge atoms in GeTe layer. Shirakawa et al. proposed that the structural change is caused by Joule heating and hole injection. And also they proposed High and Low Resistivity State (HRS/LRS) by calculating switching from an intermediate structure with amorphous GeTe layer. However this switching process is different from the actual switching in real devices. In this study, we investigated the direct switching between the HRS and LRS by using first principle molecular dynamics calculation with DFT. As the result, we found HRS was switched to a low resistive structure. On the other hand, LRS was switched to HRS by Joule heating and hole injection. |
キーワード |
(和) |
iPCM / GeTe/Sb2Te3 / 密度汎関数理論 / / / / / |
(英) |
iPCM / GeTe/Sb2Te3 / Density functional theory / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 96, SDM2019-33, pp. 39-42, 2019年6月. |
資料番号 |
SDM2019-33 |
発行日 |
2019-06-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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