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講演抄録/キーワード
講演名 2019-05-17 14:40
シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化
平野拓一東京都市大)・水野麻弥NICT)・李 寧上智大)・井上 剛曽我部正嗣住重アテックス)・岡田健一東工大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 高周波電磁界のCMOSシリコン(Si)基板での損失を低減するために水素(H)またはヘリウム(He)のイオンを照射する技術が開発されている。イオン照射によって導電率が下がるため、オンチップインダクタではQ値が上がり、オンチップアンテナでは利得が上がることから損失も低減されることが実測でも確認されている。イオン照射によってSi基板の導電率が下がることは実測で確認されているが、比誘電率の変化は調べられていなかった。そこで、本発表ではイオン照射する前とした後のSi基板の比誘電率をテラヘルツ時間領域分光システムにより測定して調べた結果について報告する。測定箇所によって少しばらつきがあるが、測定された比誘電率の平均値は11.80から11.34に低下することがわかった。また、60GHz帯オンチップアンテナの反射係数の周波数特性のシミュレーションと実測を比較し、Si基板の比誘電率の低下を考慮する前よりも考慮した後はシミュレーションと実測結果はより近くなった。 
(英) The hydrogen (H) or helium (He) ion irradiation on a silicon (Si) substrate had been proposed to reduce loss in high frequency electromagnetic fields. It was confirmed by measurement that the Q factor of on-chip spiral inductor can increase and gain of on-chip antenna can reduce because the conductivity of silicon substrate decreases by ion irradiation. Although the change of the conductivity of Si by ion irradiation was investigated, the change of dielectric constant has not been investigated. The change of dielectric constant of Si by ion irradiation was measured by terahertz time-domain spectroscopy system in this paper. The measured dielectric constant of Si was changed from 11.80 (before ion irradiation) to 11.34 after ion irradiation. The measured frequency characteristic of reflection coefficient with measured dielectric constant in the simulation agrees well with measured one.
キーワード (和) シリコン / イオン照射 / 誘電率測定 / テラヘルツ時間領域分光 / ミリ波 / オンチップアンテナ / /  
(英) Silicon / Ion Irradiation / Dielectric Constant Measurement / Terahertz Time-Domain Spectroscopy / Millimeter-Wave / On-Chip Antenna / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 42, EST2019-5, pp. 19-23, 2019年5月.
資料番号 EST2019-5 
発行日 2019-05-10 (EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 EST  
開催期間 2019-05-17 - 2019-05-17 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Inst. Tech. 
テーマ(和) シミュレーション技術、一般 
テーマ(英) Simulation techniques, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EST 
会議コード 2019-05-EST 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Dielectric Constant Change of Silicon Substrate after H/He Ion Irradiation for Loss Reduction 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコン / Silicon  
キーワード(2)(和/英) イオン照射 / Ion Irradiation  
キーワード(3)(和/英) 誘電率測定 / Dielectric Constant Measurement  
キーワード(4)(和/英) テラヘルツ時間領域分光 / Terahertz Time-Domain Spectroscopy  
キーワード(5)(和/英) ミリ波 / Millimeter-Wave  
キーワード(6)(和/英) オンチップアンテナ / On-Chip Antenna  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 平野 拓一 / Takuichi Hirano / ヒラノ タクイチ
第1著者 所属(和/英) 東京都市大学 (略称: 東京都市大)
Tokyo City University (略称: Tokyo City Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 水野 麻弥 / Maya Mizuno / ミズノ マヤ
第2著者 所属(和/英) 情報通信研究機構 (略称: NICT)
National Institute of Information and Communications Technology (略称: NICT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 李 寧 / Ning Li /
第3著者 所属(和/英) 上智大学 (略称: 上智大)
Sophia University (略称: Sophia Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 剛 / Takeshi Inoue / イノウエ タケシ
第4著者 所属(和/英) 住重アテックス株式会社 (略称: 住重アテックス)
SHI-ATEX Co.,Ltd. (略称: SHI-ATEX)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 曽我部 正嗣 / Masatsugu Sogabe / ソガベ マサツグ
第5著者 所属(和/英) 住重アテックス株式会社 (略称: 住重アテックス)
SHI-ATEX Co.,Ltd. (略称: SHI-ATEX)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 健一 / Kenichi Okada / オカダ ケンイチ
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
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講演者
発表日時 2019-05-17 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 EST 
資料番号 IEICE-EST2019-5 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.42 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-EST-2019-05-10 


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