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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-05-16 13:25 Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 ○橘 茉優・園井柊平・石川靖彦（豊橋技科大）  ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 |
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| 抄録 | （和） | 超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス用近赤外pin受光器を作製した。受光器の暗電流の低減には、Ge層中の貫通転位密度低減だけでなく、Ge/Si界面の平坦性が重要であることを示唆する結果が得られた。 |
| （英） | Near-infrared pin photodiodes for silicon photonics are fabricated using Ge layers epitaxially grown on Si by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. For the reduction of dark leakage current in Ge pin photodiodes, formation of flat Ge/Si interface is important together with the reduction of threading dislocation density in the Ge layers. | |
| キーワード | （和） | シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / エピタキシャル成長 / 近赤外受光器 / / / / |
| （英） | Si photonics / Germanium / Epitaxial Growth / Near-infrared Photodetectors / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 119, no. 36, SDM2019-9, pp. 5-8, 2019年5月. | |
| 資料番号 | SDM2019-9 | |
| 発行日 | 2019-05-09 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2019-11 CPM2019-2 SDM2019-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED CPM |
| 開催期間 | 2019-05-16 - 2019-05-17 |
| 開催地（和） | 静岡大学（浜松） |
| 開催地（英） | Shizuoka Univ. (Hamamatsu) |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | Materials, Fabrication, and Characterization of Functional Devices, and Related Technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-05-SDM-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si上Ge層を用いた近赤外pin受光器の暗電流特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dark Current Characteristics for Near-infrared pin Photodiodes of Ge Layer on Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si photonics |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム / Germanium |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | 近赤外受光器 / Near-infrared Photodetectors |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橘 茉優 / Mayu Tachibana / タチバナ マユ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 園井 柊平 / Shuhei Sonoi / ソノイ シュウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-05-16 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2019-11, CPM2019-2, SDM2019-9 |
| 巻番号（vol） | vol.119 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-05-09 (ED, CPM, SDM) |
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