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講演抄録/キーワード
講演名 2019-05-16 14:40
貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価
野口恭甫豊橋技科大)・西村道治東大)・松井純爾津坂佳幸兵庫県立大)・石川靖彦豊橋技科大ED2019-14 CPM2019-5 SDM2019-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-14 CPM2019-5 SDM2019-12
抄録 (和) Si-on-insulator (SOI)上にエピタキシャル成長したGe層は, 光通信波長のC帯(1.530 ~ 1.565 µm)や短波長側のO帯(1.260 ~ 1.360 µm)で動作する受光器材料として利用されているが, 長波長側のL帯(1.565 ~ 1.625 µm)で受光効率が低下する問題がある. 本研究では, 貼り合わせSi-on-quartz (SOQ)ウエハ上に成長したGe層において, 面内引っ張りひずみによって直接遷移バンドギャップが縮小し, L帯での光吸収係数が増大することを報告する. L帯で高効率動作する受光器への応用が期待できる. 
(英) Ge epitaxial layers on Si-on-insulator (SOI) wafer have been widely used for photodetectors operating in the C band (1.530 ~ 1.565 µm) as well as in the shorter-wavelength range of O band (1.260 ~ 1.360 µm), while an issue lies in a poor photodetection in the L band (1.565 ~ 1.625 µm). In this study, Ge layers grown on banded Si-on-quartz (SOQ) wafer show an increase in the optical absorption coefficient in the L band due to the reduction in the direct bandgap energy induced by an in-plane tensile strain. This property should be effective for high-efficiency photodetectors in the L band.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / ゲルマニウム / 光吸収 / 格子ひずみ / Lバンド / SOQウエハ / /  
(英) Si photonics / Ge / optical absorption / lattice strain / L band / Si-on-quartz wafer / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 36, SDM2019-12, pp. 21-24, 2019年5月.
資料番号 SDM2019-12 
発行日 2019-05-09 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2019-14 CPM2019-5 SDM2019-12 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-14 CPM2019-5 SDM2019-12

研究会情報
研究会 SDM ED CPM  
開催期間 2019-05-16 - 2019-05-17 
開催地(和) 静岡大学(浜松) 
開催地(英) Shizuoka Univ. (Hamamatsu) 
テーマ(和) 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 
テーマ(英) Materials, Fabrication, and Characterization of Functional Devices, and Related Technology 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-05-SDM-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterizations of lattice strain and optical properties for Ge layers epitaxially grown on bonded Si-on-Quartz substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Si photonics  
キーワード(2)(和/英) ゲルマニウム / Ge  
キーワード(3)(和/英) 光吸収 / optical absorption  
キーワード(4)(和/英) 格子ひずみ / lattice strain  
キーワード(5)(和/英) Lバンド / L band  
キーワード(6)(和/英) SOQウエハ / Si-on-quartz wafer  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 恭甫 / Kyosuke Noguchi / ノグチ キョウスケ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西村 道治 / Michiharu Nishimura / ニシムラ ミチハル
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 純爾 / Junji Matui / マツイ ジュンジ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 津坂 佳幸 / Yoshiyuki Tsusaka / ツサカ ヨシユキ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 靖彦 / Yasuhiko Ishikawa / イシカワ ヤスヒコ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. Tech.)
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講演者
発表日時 2019-05-16 14:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-ED2019-14,IEICE-CPM2019-5,IEICE-SDM2019-12 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) 
ページ範囲 pp.21-24 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-05-09,IEICE-CPM-2019-05-09,IEICE-SDM-2019-05-09 


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