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講演抄録/キーワード
講演名 2019-04-22 16:05
nW級1MHz帯レクテナ
安丸暢彦中西甲人伊東健治土本隼也山田拓弥森 貴之井田次郎金沢工大WPT2019-8 MW2019-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2019-8
抄録 (和) 本報告ではAM放送波を用いる環境発電用nW級1MHz帯レクテナについて報告する.整流素子には,市販のSi SBD,40nm SOI-CMOSプロセスによるCross couple CMOS pair (CCP) ICを用いている.3段のCCP ICを用いるレクテナでは,-41 dBm入力時に9.4 %の整流効率を得ている.さらに金沢工業大学で検討を行っているSuper-steep subthreshold slope PN-body tied SOI-MOSFET diode (PNBT diode)を整流素子に用いる場合についての検討結果を示す.PNBT diodeの静特性をモデル化し,これより整流特性をシミュレーションしている.-40 dBm入力時に30.3 %の整流効率の計算値が得られている.これらのシミュレーションや実験により-30dBm以下のnW領域で動作する1MHz帯レクテナの基本動作を確認することができた. 
(英) In this paper, simulational and experimental investigations on the 1 MHz band rectenna in nW operation are described for energy harvesting by using AM radio waves. For the objective, commercial based SBDs, a Cross couple CMOS pair (CCP) IC and a super-steep subthreshold slope PN-body tied SOI-MOSFET diode (PNBT diode) are employed. In experimental investigations with the CCP IC, efficiency of 9.4 % at -41 dBm can be obtained. In simulation with the PNBT diode, efficiency of 30.3 % at -40 dBm can be estimated. These results of the 1MHz band rectenna clarify superior possibility for energy harvesting in wider service area.
キーワード (和) レクテナ / 整流器 / ループアンテナ / SOI-CMOS / / / /  
(英) Rectenna / Rectifier / Loop Antenna / SOI-CMOS / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 12, MW2019-8, pp. 39-43, 2019年4月.
資料番号 MW2019-8 
発行日 2019-04-15 (WPT, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード WPT2019-8 MW2019-8 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2019-8

研究会情報
研究会 WPT MW  
開催期間 2019-04-22 - 2019-04-22 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) マイクロ波, 無線電力伝送, 一般 
テーマ(英) Microwave, Wireless Power Transfer, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2019-04-WPT-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) nW級1MHz帯レクテナ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1MHz band rectenna in nW opezation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) レクテナ / Rectenna  
キーワード(2)(和/英) 整流器 / Rectifier  
キーワード(3)(和/英) ループアンテナ / Loop Antenna  
キーワード(4)(和/英) SOI-CMOS / SOI-CMOS  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 安丸 暢彦 / Nobuhiko Yasumaru / ヤスマル ノブヒコ
第1著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中西 甲人 / Kanto Nakanishi / ナカニシ カント
第2著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊東 健治 / Kenji Itoh / イトウ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 土本 隼也 / Shunya Tsuchimoto / ツチモト シュンヤ
第4著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 拓弥 / Takuya Yamada / ヤマダ タクヤ
第5著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 貴之 / Takayuki Mori / モリ タカユキ
第6著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 井田 次郎 / Jiro Ida / イダ ジロウ
第7著者 所属(和/英) 金沢工業大学 (略称: 金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology (略称: Knazawa Inst.Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2019-04-22 16:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 WPT2019-8, MW2019-8 
巻番号(vol) vol.119 
号番号(no) no.11(WPT), no.12(MW) 
ページ範囲 pp.39-43 
ページ数
発行日 2019-04-15 (WPT, MW) 


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