講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-04-18 13:00
低温イットリア原子層堆積法による絶縁膜の試作と評価 ○齋藤健太郎・吉田一樹・鹿又健作・三浦正範・有馬 ボシール アハンマド・久保田 繁・廣瀬文彦(山形大) ED2019-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2019-1 |
抄録 |
(和) |
イットリア(Y2O3)は高誘電率材料であるため、MOSFET のゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来の Y2O3 の製膜法は 200 °C 以上の高温を必要とするため、高温で変性するフレキシブル基板上での製膜は難しく、Y2O3 薄 膜をフレキシブルデバイスに応用することは困難であった。我々は tris(butylcyclopentadiyl)yttrium を原料に、プラズ マ励起加湿アルゴンを酸化ガスとして用いた低温 Y2O3 ALD を開発した。本 ALD を用いて Si 基板上に Y2O3絶縁膜 を形成し、その誘電率と絶縁耐圧を評価した。 |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
原子層堆積法 / イットリア / 高誘電率 / 絶縁膜 / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 119, no. 9, ED2019-1, pp. 1-4, 2019年4月. |
資料番号 |
ED2019-1 |
発行日 |
2019-04-11 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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