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講演抄録/キーワード
講演名 2019-04-18 13:00
低温イットリア原子層堆積法による絶縁膜の試作と評価
齋藤健太郎吉田一樹鹿又健作三浦正範有馬 ボシール アハンマド久保田 繁廣瀬文彦山形大
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抄録 (和) イットリア(Y2O3)は高誘電率材料であるため、MOSFET のゲート絶縁膜への応用が期待されている。従来の Y2O3 の製膜法は 200 °C 以上の高温を必要とするため、高温で変性するフレキシブル基板上での製膜は難しく、Y2O3 薄 膜をフレキシブルデバイスに応用することは困難であった。我々は tris(butylcyclopentadiyl)yttrium を原料に、プラズ マ励起加湿アルゴンを酸化ガスとして用いた低温 Y2O3 ALD を開発した。本 ALD を用いて Si 基板上に Y2O3絶縁膜 を形成し、その誘電率と絶縁耐圧を評価した。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) 原子層堆積法 / イットリア / 高誘電率 / 絶縁膜 / / / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 119, no. 9, ED2019-1, pp. 1-4, 2019年4月.
資料番号 ED2019-1 
発行日 2019-04-11 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2019-04-18 - 2019-04-18 
開催地(和) 東北大・通研 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ. 
テーマ(和) 有機デバイス、酸化物デバイス、一般 
テーマ(英) Organic devices, oxide devices, general 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-04-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 低温イットリア原子層堆積法による絶縁膜の試作と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication of yttria insulating films by low-temperature yttria atomic layer deposition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 原子層堆積法 /  
キーワード(2)(和/英) イットリア /  
キーワード(3)(和/英) 高誘電率 /  
キーワード(4)(和/英) 絶縁膜 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 健太郎 / Kentaro Saito / サイトウ ケンタロウ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉田 一樹 / Kazuki Yosida / ヨシダ カズキ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鹿又 健作 / Kensaku Kanomata / カノマタ ケンサク
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 正範 / Masanori Miura / ミウラ マサノリ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 有馬 ボシール アハンマド / Bashir Ahmmad Arima / アリマ ボシール アハンマド
第5著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 久保田 繁 / Shigeru Kubota / クボタ シゲル
第6著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ
第7著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者
発表日時 2019-04-18 13:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2019-1 
巻番号(vol) IEICE-119 
号番号(no) no.9 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-04-11 


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