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講演抄録/キーワード
講演名 2019-03-17 13:00
超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案
張 興淮中武繁寿北九州市大CPSY2018-103 DC2018-85
抄録 (和) 本研究は、数pA~nAまでの超微弱電流を検出するために、I-V変換回路に利用される1GΩ以上の超高抵抗をオンチップで構成する手法を提案する。具体的には、遮断領域のMOSFETを直並列で接続することで、所望の抵抗値を実現する。直並列接続の段数に違いによるI-V変換特性、温度特性、面積の影響をシミュレーションにより確認し、適切な構成手法を導出する。また、既存Poly抵抗との比較も行い、提案MOSFET抵抗の実用性についても議論する。 
(英) In this work, we propose a method to configure an ultrahigh resistance of 1GΩ or more on a chip, which is used for I-V conversion circuit, in order to detect ultra-weak currents of several pA ~nA. In our method, a desired resistance value is realized by connecting MOSFETs in the cutoff region in series-parallel. The influence of I-V conversion characteristic, temperature characteristic, area due to the difference in the number of stages of series-parallel connection is confirmed by simulation. Hence, an appropriate configuration method is derived. We also compare with the existing Poly resistance and discuss the practicality of proposed MOSFET resistance.
キーワード (和) オンチップ抵抗 / 超高抵抗 / I-V変換回路 / 超微弱電流センシング / / / /  
(英) On-chip resistance / Ultrahigh resistance / I-V converter / Ultra weak current sensing / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 514, CPSY2018-103, pp. 103-108, 2019年3月.
資料番号 CPSY2018-103 
発行日 2019-03-10 (CPSY, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPSY2018-103 DC2018-85

研究会情報
研究会 CPSY DC IPSJ-SLDM IPSJ-EMB IPSJ-ARC  
開催期間 2019-03-17 - 2019-03-18 
開催地(和) 西之表市民会館(種子島) 
開催地(英) Nishinoomote City Hall (Tanega-shima) 
テーマ(和) 組込み技術とネットワークに関するワークショップ ETNET2019 
テーマ(英) ETNET2019 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPSY 
会議コード 2019-03-CPSY-DC-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 超微弱電流センシングのためのMOSFET超高抵抗構成手法の提案 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) MOSFET-based ultra high resistance configuration for ultra low current sensing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) オンチップ抵抗 / On-chip resistance  
キーワード(2)(和/英) 超高抵抗 / Ultrahigh resistance  
キーワード(3)(和/英) I-V変換回路 / I-V converter  
キーワード(4)(和/英) 超微弱電流センシング / Ultra weak current sensing  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 張 興淮 / Xinghuai Zhang / チョウ コウワイ
第1著者 所属(和/英) 北九州市立大学 (略称: 北九州市大)
The University of Kitakyushu (略称: Univ. of Kitakyushu)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中武 繁寿 / Shigetoshi Nakatake / ナカタケ シゲトシ
第2著者 所属(和/英) 北九州市立大学 (略称: 北九州市大)
The University of Kitakyushu (略称: Univ. of Kitakyushu)
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講演者
発表日時 2019-03-17 13:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 CPSY 
資料番号 IEICE-CPSY2018-103,IEICE-DC2018-85 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.514(CPSY), no.515(DC) 
ページ範囲 pp.103-108 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPSY-2019-03-10,IEICE-DC-2019-03-10 


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