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講演抄録/キーワード
講演名 2019-03-14 15:15
零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器
久米鳳春石川 亮本城和彦電通大
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抄録 (和) 双方向の無線電力伝送に利用可能である,増幅・整流動作を同一モジュールで行う10MHz帯高効率トランジスタ増幅・整流器の設計・試作・評価を行った.
トランジスタ増幅器およびトランジスタ整流器の動作類似性からドレイン側は増幅・整流動作共通の回路となっており,ゲート側は各動作時における最適インピーダンス条件が近似していることから,同一回路での両動作が可能となった.
また,しきい値0Vトランジスタを用いることで増幅・整流動作における零ゲートバイアス駆動を実現した.
試作の結果,増幅動作で最大ドレイン効率68%,最大付加電力効率66%,整流動作で最大RF-DC変換効率60%と良好な結果を得た. 
(英) A high-efficiency amplification/rectification module has been developed at 10-MHz band for bidirectional wireless power transfer systems, based on an operation similarity between transistor amplifier and rectifier.
It operates as an amplifier for converting a power from DC to RF, and also operates as a rectifier for converting one from RF to DC.
The same drain-side circuit can be used for both operations based on the operation similarity.
On the other hand, the gate-side circuit was adjusted so that higher efficiency operations were obtained for both operations.
In addition, by using a zero-threshold transistor, this module has no gate-biasing circuit.
At 10 MHz, the fabricated module exhibited a maximum drain efficiency of 68% and a maximum power-added efficiency of 66% in the amplification operation, and a maximum RF-to-DC conversion efficiency of 60% in the rectification operation.
キーワード (和) 無線電力伝送 / 増幅器 / 整流器 / Si MOSFET / / / /  
(英) Wireless power transfer systems / Amplifier / Rectifier / Si MOSFET / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 506, MW2018-165, pp. 49-54, 2019年3月.
資料番号 MW2018-165 
発行日 2019-03-07 (MW, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 MW ICD  
開催期間 2019-03-14 - 2019-03-15 
開催地(和) 大濱信泉記念館(石垣島) 
開催地(英)  
テーマ(和) マイクロ波集積回路/マイクロ波一般 
テーマ(英) Microwave Integrated Circuit/Microwave Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2019-03-MW-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 零しきい値Si MOSトランジスタを用いた零ゲートバイアス10MHz帯増幅・整流器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 10-MHz-Band Gate Zero-Bias Amplification/Rectification Module using Zero-Threshold Si MOS Transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 無線電力伝送 / Wireless power transfer systems  
キーワード(2)(和/英) 増幅器 / Amplifier  
キーワード(3)(和/英) 整流器 / Rectifier  
キーワード(4)(和/英) Si MOSFET / Si MOSFET  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 久米 鳳春 / Takaharu Kume / クメ タカハル
第1著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石川 亮 / Ishikawa Ryo / イシカワ リョウ
第2著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ
第3著者 所属(和/英) 電気通信大学 (略称: 電通大)
The University of Electro-Communications (略称: UEC)
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講演者
発表日時 2019-03-14 15:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-MW2018-165,IEICE-ICD2018-109 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.506(MW), no.507(ICD) 
ページ範囲 pp.49-54 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-MW-2019-03-07,IEICE-ICD-2019-03-07 


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