講演抄録/キーワード |
講演名 |
2019-02-28 10:25
薄膜BOX-SOIと基板バイアス制御を用いた低消費電力スタンダードセルメモリの実チップによる評価 ○真崎 諒・吉田有佑(芝浦工大)・天野英晴(慶大)・宇佐美公良(芝浦工大) VLD2018-108 HWS2018-71 |
抄録 |
(和) |
近年、IoTデバイスが急速に増加している。IoTデバイスの1つであるセンサーノードや小型医療デバイス等、必ずしも高い演算能力を必要としないものがある。しかし、それらは電源供給が困難な場所で使用されることが多く、限られたエネルギー資源の中で動作させ続けるためには、低消費エネルギー化が極めて重要になる。そこで本研究では、スタンダードセルを組み合わせて、構成されるデジタルオンチップメモリであるスタンダードセルメモリ(Standard Cell based Memory:SCM)に、複数の基板バイアスを印加するマルチボディバイアス制御を適用し、実チップを用いてSCMの消費エネルギーの評価を行った。プロセスは、基板バイアス効果が大きいFD-SOIデバイスの一つである薄膜BOX-SOI(Silicon on Thin-BOX:SOTB)を用いる。 |
(英) |
In recent years, IoT devices are rapidly increasing. One of the IoT devices is a sensor node and a small medical device etc. Since they are often used in places where power supply is difficult, low energy consumption is extremely important. Therefore, in this study, multi body-bias control is applied to SCM (Standard Cell based Memory), which is a digital on-chip memory configured by combining standard cells, and the energy consumption energy of SCM was evaluated using real chips. As the process technology, thin-film BOX-SOI (Silicon on Thin-BOX: SOTB) which is one of FD-SOI devices having a large body bias effect is used. |
キーワード |
(和) |
ボディバイアス / Standard Cell based Memory / 超低電圧 / 薄膜BOX-SOI / / / / |
(英) |
Body Bias / Standard Cell based Memory / Ultra low voltage / SOTB / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 457, VLD2018-108, pp. 91-96, 2019年2月. |
資料番号 |
VLD2018-108 |
発行日 |
2019-02-20 (VLD, HWS) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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VLD2018-108 HWS2018-71 |
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