お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2019-02-28 13:05
高速かつ高ノイズマージンな65nm FD-SOI向けドミノ高基数ツリー加算器設計
新納一樹今川隆司越智裕之立命館大VLD2018-112 HWS2018-75
抄録 (和) 2000年代にはドミノロジックは回路を高速化するための回路方式としてLSI市場の最前線にも導入されていた.しかし近年のムーアの法則に従った集積回路製造プロセスの微細化によりドミノロジックは大きなダイナミック電力や指数関数的に増加するリーク電流などの信頼性阻害要因に悩まされ,LSI市場の最前線に導入されることがなくなった.一方で新型の集積回路製造プロセスとしてSOTB (silicon on thin buried oxide)が注目されている.SOTBはFD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator)の一種であり,その構造上寄生容量とリーク電流が小さい.本稿ではこれらのSOTBの特性を活かした高基数ツリー加算器を提案する.信頼性阻害要因を調査し,適切なトランジスタのサイジングを行って設計した高基数ツリー加算器は,通常の基数2のツリー加算器に対し,23ビット加算器では3.2%,64ビット加算器では1.8%遅延時間を改善した.また,バルクCMOSと比較することにより,SOTBとドミノロジックの高い親和性を実証した.提案加算器を用いて設計した乗算器はDesign Complierによって設計したスタンダードセルベースのスタティックCMOS乗算器に対し,電源電圧0.55Vにおいて27.4%,1.0Vにおいて34.3%遅延時間を改善した. 
(英) Domino logic was introduced at the forefront of the LSI market in the 2000s for high-speed circuits. In recent years, however, domino logic has been rarely introduced due to the unreliability factors such as large dynamic power and exponential increase of leakage current induced by the progress of fabrication technology. On the other hand, siliconon thin buried oxide (SOTB) has attracted attention as a new CMOS process technology. SOTB is a type of fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI), and its parasitic capacitance and leakage current are small due to its structure. In this report, we propose a high-radix tree adder that exploits these features of SOTB. To improve the performance of the proposed adder, we explore an appropriate transistor sizing based on the analysis of unreliability factors. The evaluation result shows that the delay of the proposed 23-bit, 64-bit high-radix tree adders are 3.2% and 1.8% smaller than that of the radix-2 tree adder, respectively. Moreover, by comparison with bulk CMOS, it showed high affinity of SOTB and domino logic. The 16-bit multiplier with the proposed adders shows 27.4% to 34.3% smaller delay than that of the standard-cell-based static CMOS designed by Synopsys Design Compiler.
キーワード (和) ドミノロジック / SOTB / リーク電流 / キーパー / 乗算器 / / /  
(英) domino logic / SOTB / leakage current / keeper / multiplier / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 457, VLD2018-112, pp. 115-120, 2019年2月.
資料番号 VLD2018-112 
発行日 2019-02-20 (VLD, HWS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード VLD2018-112 HWS2018-75

研究会情報
研究会 HWS VLD  
開催期間 2019-02-27 - 2019-03-02 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Ken Seinen Kaikan 
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術, ハードウェアセキュリティ, 一般 
テーマ(英) Design Technology for System-on-Silicon, Hardware Security, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2019-02-HWS-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高速かつ高ノイズマージンな65nm FD-SOI向けドミノ高基数ツリー加算器設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-Speed and Noise-Tolerant High-Radix Tree Domino Adder Targeted to 65 nm FD-SOI Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ドミノロジック / domino logic  
キーワード(2)(和/英) SOTB / SOTB  
キーワード(3)(和/英) リーク電流 / leakage current  
キーワード(4)(和/英) キーパー / keeper  
キーワード(5)(和/英) 乗算器 / multiplier  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 新納 一樹 / Kazuki Niino / ニイノウ カズキ
第1著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 今川 隆司 / Takashi Imagawa / イマガワ タカシ
第2著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 越智 裕之 / Hiroyuki Ochi / オチ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 立命館大学 (略称: 立命館大)
Ritsumeikan University (略称: Ritsumeikan Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2019-02-28 13:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2018-112,IEICE-HWS2018-75 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.457(VLD), no.458(HWS) 
ページ範囲 pp.115-120 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2019-02-20,IEICE-HWS-2019-02-20 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会