電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2019-02-15 14:55
[招待講演]MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション
田中浩治雨宮真一郎岡村 均嶌末政憲モーデック)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 今日,半導体製品は様々な製品に用いられており,車載部品や医療機器に代表される高信頼性が必須な製品にも数多く使われている.当然,構成部品である半導体製品にも高信頼性が求められるが,特にICなどを始めとする集積回路製品の電気特性に関しての信頼性設計を行う場合,ICを構成している個々のデバイス(トランジスタやパッシブ素子など)の信頼性試験結果から,最悪条件を想定しマージンをとる設計手法か,設計者の経験で製品設計を行い,実機の試験結果を確認するという手法が多かった.しかし,近年,より高精度な信頼性予測が可能なシミュレーション技術に対するニーズが高まっている.本稿では,そんなニーズに対して,MOSFETの特性劣化にフォーカスし,SPICEを用いた回路シミュレーションで特性を予測する手法に関して紹介する. 
(英) Now, semiconductor products are used in many high reliability products such as vehicle parts and medical equipment. Naturally, high reliability is also required for semiconductor products which are constituent parts. But particularly when designing the reliability of the electrical characteristics of integrated circuit products including IC etc., product designers were designing products by predicting the design margin from the reliability test results or their design experience. However, in recent years, there is an increasing need for simulation technology capable of predicting more reliable reliability. In this paper, we focus on such characteristic degradation of MOSFET and introduce the method of predicting characteristics by circuit simulation using SPICE.
キーワード (和) SPICE / HCI / ドレインアバランシェ / チャネルホットキャリア / 信頼性 / MOSFET / /  
(英) SPICE / HCI / Drain Avalanche / Channel Hot Carrier / Reliability / MOSFET / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 446, R2018-56, pp. 25-30, 2019年2月.
資料番号 R2018-56 
発行日 2019-02-08 (R, EMD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 EMD R  
開催期間 2019-02-15 - 2019-02-15 
開催地(和) パナソニック企業年金基金 松心会館 
開催地(英)  
テーマ(和) 機構デバイスの信頼性、信頼性一般 (共催:信頼性研究会,継電器・コンタクトテクノロジ研究会,IEEE EPS JAPAN) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 R 
会議コード 2019-02-EMD-R 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) MOSFETエージングモデルを用いた回路特性劣化SPICEシミュレーション 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SPICE based circuit performance degradation simulation with MOSFET aging models 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) SPICE / SPICE  
キーワード(2)(和/英) HCI / HCI  
キーワード(3)(和/英) ドレインアバランシェ / Drain Avalanche  
キーワード(4)(和/英) チャネルホットキャリア / Channel Hot Carrier  
キーワード(5)(和/英) 信頼性 / Reliability  
キーワード(6)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 浩治 / Koji Tanaka / タナカ コウジ
第1著者 所属(和/英) 株式会社モーデック (略称: モーデック)
MoDeCH Inc. (略称: MoDeCH)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 真一郎 / Shinichiro Amemiya / アメミヤ シンイチロウ
第2著者 所属(和/英) 株式会社モーデック (略称: モーデック)
MoDeCH Inc. (略称: MoDeCH)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡村 均 / Hitoshi Okamura / オカムラ ヒトシ
第3著者 所属(和/英) 株式会社モーデック (略称: モーデック)
MoDeCH Inc. (略称: MoDeCH)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 嶌末 政憲 / Masanori Shimasue / シマスエ マサノリ
第4著者 所属(和/英) 株式会社モーデック (略称: モーデック)
MoDeCH Inc. (略称: MoDeCH)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2019-02-15 14:55:00 
発表時間 60 
申込先研究会 R 
資料番号 IEICE-R2018-56,IEICE-EMD2018-57 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.446(R), no.447(EMD) 
ページ範囲 pp.25-30 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-R-2019-02-08,IEICE-EMD-2019-02-08 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会