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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-02-07 13:10 ［招待講演］Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV) ○Wei Feng・Naoya Watanabe・Haruo Shimamoto・Masahiro Aoyagi・Katsuya Kikuchi（AIST）  SDM2018-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-93 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | The methods as parylene substitute of SiO2 as dielectric layer and annular structure lose efficacy for thermal stress reduction with Through Silicon Via (TSV) scaling down. A novel Annular-Trench-Isolated (ATI) TSV structure was proposed to reduce thermal stress level in Si substrate. A ring of Si is remained between the metal core and insulator layer. The ATI TSV was successfully fabricated with two separate etching processes for the insulator parylene-HT trench and the metal solder core. The thermal stress of ATI TSV was investigated by polarized Raman spectroscopy measurements with varying temperature, indicating lower stress level than regular TSV. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | Through Silicon Via (TSV) / Thermal Stress / Polarized Raman Spectroscopy Measurements / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 438, SDM2018-93, pp. 9-14, 2019年2月. | |
| 資料番号 | SDM2018-93 | |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-93 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-02-07 - 2019-02-07 |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Backend / Assembly and Related materials technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-02-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stress Investigation of Annular-Trench-Isolated (ATI) Through Silicon Via (TSV) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Through Silicon Via (TSV) |
| キーワード(2)（和/英） | / Thermal Stress |
| キーワード(3)（和/英） | / Polarized Raman Spectroscopy Measurements |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 馮 ウェイ / Wei Feng / フェン ウェイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡辺 直也 / Naoya Watanabe / ワタナベ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島本 晴夫 / Haruo Shimamoto / シマモト ハルオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青柳 昌宏 / Masahiro Aoyagi / アオヤギ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi / キクチ カツヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
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| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-02-07 13:10:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-93 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.438 |
| ページ範囲 | pp.9-14 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) |
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