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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-02-07 11:25 ［招待講演］誘導自己組織化による極微細三次元配線形成技術 福島誉史・○マリアッパン ムルゲサン・小柳光正（東北大）  SDM2018-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-92 |
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| 抄録 | （和） | 将来の三次元積層型集積回路（3D-LSI）作製の鍵を握る極微細シリコン貫通配線（TSV）の形成とチップ間の微細電極の接続を自己組織的に実現するために必要な配線技術を紹介する。ABジブロック共重合高分子と金属（金属塩、もしくは金属ナノ粒子）から構成されるナノコンポジットをガイド材により誘導し、エッチングを使わずに目的の場所に目的のサイズの配線を形成する新しい誘導自己組織化（DSA）を基盤とした三次元配線技術である。ここではその材料設計と試作結果について述べる。 |
| （英） | A directed self-assembly (DSA) technology is applied to fabricate ultrafine pitch TSV (Through-Silicon Vias) for ultra-high density 3D storage memory systems. In addition, 3D chip bonding with fine-pitch Cu electrodes is also demonstrated. A nanocomposite consisting of an AB diblock copolymer and metal compounds/nanoparticles shows nano-cylinder structures on Si substrates based on a Flory-Huggins theory to interconnect between thin chips three-dimensionally stacked in layers. | |
| キーワード | （和） | 誘導自己組織化(DSA) / シリコン貫通配線(TSV) / 狭ピッチ電極接合 / 三次元積層型集積回路(3D-LSI) / / / / |
| （英） | Directed Self-Assembly (DSA) / Through-Silicon Via (TSV) / Fine-Pitch Electrode Bonding / 3D-Stacked LSI / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 438, SDM2018-92, pp. 5-8, 2019年2月. | |
| 資料番号 | SDM2018-92 | |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2018-92 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2018-92 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2019-02-07 - 2019-02-07 |
| 開催地（和） | 東京大学/本郷 工学部４号館 42講義室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Backend / Assembly and Related materials technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2019-02-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 誘導自己組織化による極微細三次元配線形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrafine 3D Interconnect Technology Using Directed Self-Assembly |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 誘導自己組織化(DSA) / Directed Self-Assembly (DSA) |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通配線(TSV) / Through-Silicon Via (TSV) |
| キーワード(3)（和/英） | 狭ピッチ電極接合 / Fine-Pitch Electrode Bonding |
| キーワード(4)（和/英） | 三次元積層型集積回路(3D-LSI) / 3D-Stacked LSI |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 誉史 / Takafumi Fukushima / フクシマ タカフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | マリアッパン ムルゲサン / Murugesan Mariappan / マリアッパン ムルゲサン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小柳 光正 / Mitsumasa Koyanagi / コヤナギ ミツマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第2著者 |
| 発表日時 | 2019-02-07 11:25:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2018-92 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.438 |
| ページ範囲 | pp.5-8 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2019-01-31 (SDM) |
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