お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-29 09:55
[招待講演]強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析
右田真司太田裕之産総研)・鳥海 明東大SDM2018-82 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-82
抄録 (和) 最近強誘電体トランジスタの電気測定において急峻スロープ特性がしばしば観測され、これを負性容量効果という新しい動作原理によるものとして解釈する報告が多数発表されている。ところが負性容量効果それ自体の物理定義や実証方法に不明瞭な部分が残されているため、実験で得られた急峻スロープ特性の全てを新しい動作原理の実証だと結論付けることは困難であると我々は考えている。本研究では強誘電体キャパシタとMISキャパシタとの面積比を調整したMFMIS型ゲートスタック構造を有するトランジスタを作成して電気特性を調べた。そして適切な面積比を採用した時に急峻スロープ特性が顕著に現れることを確認した。この現象を我々は、強誘電体に自発分極反転が生じる際に現れる電荷が作り出した電圧再分配によるものであるというモデルで解釈した。 
(英) Steep-subthreshold swing (steep-SS) behaviors are observable in recent ferroelectric-gate field-effect transistors (FE-FETs) many times, and those reports suggest that they are caused by the negative capacitance effect (NC-Effect). However, the definition and the criteria for the NC-effect are still unclear. Therefore, it is not easy to conclude that all of those results come from the NC-effect. In this work, we prepared FE-FETs that consist of the metal-ferroelectric-metal-insulator- semiconductor (MFMIS) gates stack structures with different area ratios between MIS and MFM capacitors. We observed that the steep-SS behavior becomes remarkable in the FE-FET with appropriate capacitance ratio. We think that this phenomena is explainable from the viewpoint of redistribution of voltage in the gate stack caused by the electronic charge emerged in the process of the polarization reversal in the ferroelectric capacitors.
キーワード (和) 急峻スロープ / 負性容量効果 / 強誘電体 / HfO2 / トランジスタ / / /  
(英) steep subthreshold swing / negative capacitance / ferroelectricity / HfO2 / transistor / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-82, pp. 5-8, 2019年1月.
資料番号 SDM2018-82 
発行日 2019-01-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2018-82 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2018-82

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-01-29 - 2019-01-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 強誘電体トランジスタで観測される急峻スロープ特性の解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Assessment of Steep-Subthreshold Swing Behaviors in Ferroelectric Field-Effect Transistors 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 急峻スロープ / steep subthreshold swing  
キーワード(2)(和/英) 負性容量効果 / negative capacitance  
キーワード(3)(和/英) 強誘電体 / ferroelectricity  
キーワード(4)(和/英) HfO2 / HfO2  
キーワード(5)(和/英) トランジスタ / transistor  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 右田 真司 / Shinji Migita / ミギタ シンジ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 太田 裕之 / Hiroyuki Ota / オオタ ヒロユキ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 鳥海 明 / Akira Thorium / トリウミ アキラ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: U. Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2019-01-29 09:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2018-82 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.429 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数
発行日 2019-01-22 (SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会