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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-29 15:40
[招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
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抄録 (和) スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) を試作し、ゲート電圧5Vでのスイッチング動作を実証した。かつ、1200Vの耐圧を維持しながら0.1Vのオン電圧低減と33%のターンオフ損失低減を実現した。 
(英) Functional trench-gated 1200V-10A class Si-IGBTs, designed based on the scaling concept, were fabricated, and 5V gate voltage switching operation has been demonstrated for the first time. 33% reduction of turn-off loss and 100mV improvement of on-state voltage were achieved, while keeping 1.2kV forward blocking voltage.
キーワード (和) パワーデバイス / IGBT / IE効果 / スケーリング / スイッチング損失 / / /  
(英) Power Device / IGBT / Injection Enhancement / Scaling / Switching Loss / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 429, SDM2018-90, pp. 39-44, 2019年1月.
資料番号 SDM2018-90 
発行日 2019-01-22 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2019-01-29 - 2019-01-29 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 先端CMOSデバイス・ プロセス技術(IEDM特集) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2019-01-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Demonstration of 1200V Scaled IGBTs Driven by 5V Gate Voltage with Superiorly Low Switching Loss 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) パワーデバイス / Power Device  
キーワード(2)(和/英) IGBT / IGBT  
キーワード(3)(和/英) IE効果 / Injection Enhancement  
キーワード(4)(和/英) スケーリング / Scaling  
キーワード(5)(和/英) スイッチング損失 / Switching Loss  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 更屋 拓哉 / Takuya Saraya / サラヤ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 一夫 / Kazuo Itou / イトウ カズオ
第2著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高倉 俊彦 / Toshihiko Takakura / タカクラ トシヒコ
第3著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 福井 宗利 / Munetoshi Fukui / フクイ ムネトシ
第4著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 慎一 / Shinichi Suzuki / スズキ シンイチ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹内 潔 / Kiyoshi Takeuchi / タケウチ キヨシ
第6著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 附田 正則 / Masanori Tsukuda / ツクダ マサノリ
第7著者 所属(和/英) 北九州市環境エレクトロニクス研究所 (略称: 北九州市環境エレクトロニクス研)
Green Electronics Research Institute, Kitakyushu (略称: GRIK)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 沼沢 陽一郎 / Yohichiroh Numasawa / ヌマサワ ヨウイチロウ
第8著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 克己 / Katsumi Satoh / サトウ カツミ
第9著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社 (略称: 三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation (略称: Mitsubishi Electric)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 末代 知子 / Tomoko Matsudai / マツダイ トモコ
第10著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (略称: Toshiba Electronic Devices & Storage)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 渉 / Wataru Saito / サイトウ ワタル
第11著者 所属(和/英) 株式会社東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (略称: Toshiba Electronic Devices & Storage)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 角嶋 邦之 / Kuniyuki Kakushima / カクシマ クニユキ
第12著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 星井 拓也 / Takuya Hoshii / ホシイ タクヤ
第13著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 和由 / Kazuyoshi Furukawa / フルカワ カズヨシ
第14著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 正裕 / Masahiro Watanabe / ワタナベ マサヒロ
第15著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) 執行 直之 / Naoyuki Shigyo / シギョウ ナオユキ
第16著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) 筒井 一生 / Kazuo Tsutsui / ツツイ カズオ
第17著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩井 洋 / Hiroshi Iwai / イワイ ヒロシ
第18著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Inst. of Technology (略称: Tokyo Tech)
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) 小椋 厚志 / Atsushi Ogura / オグラ アツシ
第19著者 所属(和/英) 明治大学 (略称: 明大)
Meiji University (略称: Meiji Univ.)
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) 西澤 伸一 / Shin-ichi Nishizawa / ニシザワ シンイチ
第20著者 所属(和/英) 九州大学 (略称: 九大)
Kyushu University (略称: Kyushu Univ.)
講演者
発表日時 2019-01-29 15:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2018-90 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.429 
ページ範囲 pp.39-44 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2019-01-22 


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