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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-18 11:05
高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析
舘野泰範住友電工)・四田泰代住友電工デバイス・イノベーション)・山本 洋中林隆志住友電工ED2018-82 MW2018-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-82 MW2018-149
抄録 (和) 高温保存試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性変化の物理的メカニズムについて解析を行った. GaN-HEMTに高電圧ストレスを印加した直後にパルスSパラメータを測定することで, 遅延時間解析を実施した結果, 高温保存試験によって, GaN-HEMTのいわゆる「仮想ゲート」領域がドレイン電極側に向かって拡大していることでパルスI-V特性が変化することが分かった. この「仮想ゲート」の伸びは, ゲートのダイオード特性測定結果やゲート電極周辺のEDXによる元素分析によって, ゲート電極端部における電子のトンネル注入確率が増大することによるものと推定できる. 
(英) The purpose of this study is to investigate the physical mechanism of pulsed-IV degradation under high temperature storage tests. Using the measurements of the pulsed S-parameters immediately after the voltage stress was applied to the GaN-HEMT, we carried out the delay time analysis. As a result, we found that the so-called “virtual gate” region extended toward the drain electrode due to high temperature storage. From this result, we concluded that the electron tunnel injection probability at the gate edge increased and degraded the pulsed-IV characteristics.
キーワード (和) 遅延時間解析 / GaN-HEMT / 高温放置試験 / パルスI-V / パルスSパラメータ / / /  
(英) delay time analysis / GaN-HEMT / high temperature storage test / pulsed I-V / pulsed S-parameters / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 402, ED2018-82, pp. 71-74, 2019年1月.
資料番号 ED2018-82 
発行日 2019-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2018-82 MW2018-149 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-82 MW2018-149

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2019-01-17 - 2019-01-18 
開催地(和) 日立中研 
開催地(英) Hitachi, Central Research Lab. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高温信頼度試験におけるGaN-HEMTのパルスI-V特性劣化メカニズムの解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of the Pulsed-IV Degradation Mechanism of GaN-HEMT under High Temperature Storage Tests 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 遅延時間解析 / delay time analysis  
キーワード(2)(和/英) GaN-HEMT / GaN-HEMT  
キーワード(3)(和/英) 高温放置試験 / high temperature storage test  
キーワード(4)(和/英) パルスI-V / pulsed I-V  
キーワード(5)(和/英) パルスSパラメータ / pulsed S-parameters  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 舘野 泰範 / Yasunori Tateno / タテノ ヤスノリ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: Sumitomo Electric)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 四田 泰代 / Yasuyo Kurachi / ヨツダ ヤスヨ
第2著者 所属(和/英) 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称: 住友電工デバイス・イノベーション)
Sumitomo Electric Device Innovations (略称: Sumitomo Electric Device Innovations)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 洋 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ
第3著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: Sumitomo Electric)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中林 隆志 / Takashi Nakabayashi /
第4著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: Sumitomo Electric)
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講演者
発表日時 2019-01-18 11:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2018-82,IEICE-MW2018-149 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.402(ED), no.403(MW) 
ページ範囲 pp.71-74 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-01-10,IEICE-MW-2019-01-10 


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