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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-18 11:40
InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価
赤松知弥亀田滉貴佐々木正尋冨岡克広本久順一北大PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95
抄録 (和) ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数や位置・サイズの制御や多様な材料選択が可能である。また、ナノワイヤのサイズ・形状を制御することで光取り出し効率の向上や自然発光の制御が可能となるため、可視から通信波長帯にわたる広い波長範囲での発光素子応用が期待できる。本研究では、単一光子のオンデマンド発生に向け、有機金属気相選択成長法によってInAsP活性層を埋め込んだInP/InAsP/InP縦ヘテロ構造ナノワイヤを成長し、ナノワイヤアレイ縦型LEDを作製した。作製したLED素子は、電流注入によってInAsP層からの近赤外波長域の発光を示した。 
(英) Semiconductor nanowires (NWs), which have nanoscale footprints, enables us to realize variety of quantum structures with excellent position and size controllability, utilizing more abundant selections of materials for heterostructures. In addition, it is possible to enhance light extraction and to control spontaneous emission by controlling their size and shape. These makes NWs promising materials for light emitters applicable from visible to fiber telecom bands. In this study, we grew InP / InAsP / InP vertical heterostructure nanowires, where InAsP was embedded for active layer by selective-area metalorganic vapor phase epitaxy and fabricated vertical nanowire array LEDs as one of the efforts towards on-demand single photon emitters. The LEDs showed rectifying characteristics and electroluminescence from embedded InAsP layer in the near infrared region.
キーワード (和) III-V族化合物半導体 / ナノワイヤ / 発光ダイオード / 有機金属気相選択成長法 / / / /  
(英) III-V compound semiconductor / Nanowires / Light emitting diodes / Selective-area MOVPE / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 399, LQE2018-196, pp. 247-250, 2019年1月.
資料番号 LQE2018-196 
発行日 2019-01-10 (PN, EMT, OPE, LQE, EST, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード PN2018-77 EMT2018-111 OPE2018-186 LQE2018-196 EST2018-124 MWP2018-95

研究会情報
研究会 PN EMT OPE EST MWP LQE IEE-EMT  
開催期間 2019-01-17 - 2019-01-18 
開催地(和) 大阪大学中之島センター 
開催地(英) Osaka University Nakanoshima Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス、フォトニック結晶、ファイバーとその応用、光集積回路、光導波路素子、光スイッチング、導波路解析、マイクロ波・ミリ波フォトニクス、及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2019-01-PN-EMT-OPE-EST-MWP-LQE-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) InP/InAsP/InPヘテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and characterization of InP/InAsP/InP heterostructure nanowire LEDs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) III-V族化合物半導体 / III-V compound semiconductor  
キーワード(2)(和/英) ナノワイヤ / Nanowires  
キーワード(3)(和/英) 発光ダイオード / Light emitting diodes  
キーワード(4)(和/英) 有機金属気相選択成長法 / Selective-area MOVPE  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤松 知弥 / Tomoya Akamatsu / アカマツ トモヤ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 亀田 滉貴 / Hiroki Kameda / カメダ ヒロキ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐々木 正尋 / Masahiro Sasaki / ササキ マサヒロ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 冨岡 克広 / Katsuhiro Tomioka / トミオカ カツヒロ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 本久 順一 / Junichi Motohisa / モトヒサ ジュンイチ
第5著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2019-01-18 11:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-PN2018-77,IEICE-EMT2018-111,IEICE-OPE2018-186,IEICE-LQE2018-196,IEICE-EST2018-124,IEICE-MWP2018-95 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.396(PN), no.397(EMT), no.398(OPE), no.399(LQE), no.400(EST), no.401(MWP) 
ページ範囲 pp.247-250 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-PN-2019-01-10,IEICE-EMT-2019-01-10,IEICE-OPE-2019-01-10,IEICE-LQE-2019-01-10,IEICE-EST-2019-01-10,IEICE-MWP-2019-01-10 


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