| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2019-01-18 14:40 SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 ○久保翔也・佐藤俊介・全 俊豪・安岡康一（東工大）  EMD2018-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2018-50 |
|
| 抄録 | （和） | 近年直流遮断器の需要が増加しているが，直流は電流零点がないため開極時のアーク放電を消弧することが難しい。またアーク放電による電極損耗は著しく，アーク時間の短い直流遮断器の新方式として，電気接点と並列に半導体素子とサージ吸収素子を接続したハイブリッド直流遮断器が研究されている。本研究では定格1.2 kV, 444 AのSiC-MOSFETを2素子直列接続することで，直流1 kV, 1 kAの遮断に成功したので報告する。 |
| （英） | A hybrid circuit breaker consisted of power semiconductor devices and varistor connected in parallel with an electrical contact is extensively studied. This study shows the current interruption up to 1 kA at DC 1 kV using two 1.2 kV, 444 A SiC-MOSFETs connected in series. | |
| キーワード | （和） | ハイブリッド直流遮断器 / 溶融ブリッジ / アーク放電 / SiC-MOSFET / / / / |
| （英） | Hybrid DC circuit breaker / Molten metal bridge / Arc discharge / SiC-MOSFET / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 407, EMD2018-50, pp. 11-16, 2019年1月. | |
| 資料番号 | EMD2018-50 | |
| 発行日 | 2019-01-11 (EMD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2018-50 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2018-50 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
| 開催期間 | 2019-01-18 - 2019-01-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館地下3階1号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | EMD |
| 会議コード | 2019-01-EMD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiC-MOSFETを用いたkV, kA級ハイブリッド直流遮断器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | kV-kA class Hybrid DC Circuit Breaker using SiC-MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド直流遮断器 / Hybrid DC circuit breaker |
| キーワード(2)（和/英） | 溶融ブリッジ / Molten metal bridge |
| キーワード(3)（和/英） | アーク放電 / Arc discharge |
| キーワード(4)（和/英） | SiC-MOSFET / SiC-MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久保 翔也 / Shoya Kubo / クボ ショウヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 俊介 / Shunsuke Sato / サトウ シュンスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 全 俊豪 / Shungo Zen / ゼン シュンゴウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安岡 康一 / Koichi Yasuoka / ヤスオカ コウイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2019-01-18 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | EMD |
| 資料番号 | EMD2018-50 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.407 |
| ページ範囲 | pp.11-16 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2019-01-11 (EMD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]