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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-17 16:25
[招待講演]シリコン半導体の過去・現在・未来 ~ 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI ~
木村紳一郎日立ED2018-80 MW2018-147 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-80 MW2018-147
抄録 (和) 活況を呈しているIC産業の過去と現在を俯瞰し、未来の方向の一つとして、AIの進展をバネとした半導体の新たな進化を考える。大きなコンピューティングパワーを必要としているAIを半導体チップに組み込み、工場や自動車などの実世界におけるさまざまな事象・現象に対応するためには、デバイスは低電力性と高性能という要求を同時に満たさなければならない。それを可能にするデバイスの一つとして、FD (Fully-Depleted)-SOI (Silion on Insulator)の進化系である薄膜BOX( Buried Oxide)を用いたMOSFETを紹介する。これは、SOI基板の埋め込み酸化膜を薄膜化したものであり、基板に電圧を印加することで、MOSFETの特性を使用状況に応じて、柔軟に低電力モードと高性能モードに変えられるという特徴を持っている。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) IC産業 / MOSFET / DRAM / 3D-NAND / FinFET / エッジ / 薄膜BOX / 基板電圧  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 403, MW2018-147, pp. 63-66, 2019年1月.
資料番号 MW2018-147 
発行日 2019-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-80 MW2018-147 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-80 MW2018-147

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2019-01-17 - 2019-01-18 
開催地(和) 日立中研 
開催地(英) Hitachi, Central Research Lab. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2019-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) シリコン半導体の過去・現在・未来 
サブタイトル(和) 低電力モードと高性能モードを柔軟に変えられる薄膜BOX-SOI 
タイトル(英) Silicon Semiconductor, "past, present, and future" 
サブタイトル(英)
キーワード(1)(和/英) IC産業 /  
キーワード(2)(和/英) MOSFET /  
キーワード(3)(和/英) DRAM /  
キーワード(4)(和/英) 3D-NAND /  
キーワード(5)(和/英) FinFET /  
キーワード(6)(和/英) エッジ /  
キーワード(7)(和/英) 薄膜BOX /  
キーワード(8)(和/英) 基板電圧 /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 木村 紳一郎 / Shin'ichiro Kimura / キムラ シンイチロウ
第1著者 所属(和/英) (株)日立製作所 (略称: 日立)
Hitachi, Ltd. (略称: Hitachi)
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講演者
発表日時 2019-01-17 16:25:00 
発表時間 50 
申込先研究会 MW 
資料番号 IEICE-ED2018-80,IEICE-MW2018-147 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.402(ED), no.403(MW) 
ページ範囲 pp.63-66 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-01-10,IEICE-MW-2019-01-10 


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