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講演抄録/キーワード
講演名 2019-01-17 15:00
ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-77 MW2018-144
抄録 (和) InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入するピットアシストオーミック技術の検討を行った.ピット構造は試料をTMAHに浸漬する簡便な手法により形成することができた.コンタクト抵抗はピット占有率と相関を持ち,平坦部,ピット側壁部,ピット底部で異なる接触抵抗率を持つものとみなして計算することで説明可能であることを示した.最適な条件の適用により,Al融点以下のアニール温度においても0.38 Ω・mmのコンタクト抵抗を得ることができ,DC特性においてもオン抵抗,ドレイン電流,相互コンダクタンスがそれぞれ改善することを明らかにした.ピットアシストオーミック技術は簡便なプロセス,低アニール処理温度により,コンタクト抵抗の低減を実現できることから,有用かつ実用的な技術であるといえる. 
(英) Low contact resistance was realized in InAlGaN/GaN HEMTs by the introduction of pit structures on the metal/InAlGaN interface. Contact resistance was strongly affected by pit morphology, and it could be roughly explained by assuming the pit structure as a parallel circuit. InAlGaN/GaN HEMT with pit-assisted ohmic contact shows low contact resistance of 0.38 Ω・mm with less variation, and exhibited improved DC characteristics. It can be concluded that the pit-assisted ohmic contact is a cost-effective practical technique to obtain a low contact resistance from a low temperature annealing.
キーワード (和) HEMT / パワーアンプ / ミリ波 / InAlGaN / オーミック / コンタクト抵抗 / /  
(英) HEMT / Power Amplifier / Millimeter wave / InAlGaN / Ohmic / Contact resistance / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 402, ED2018-77, pp. 51-54, 2019年1月.
資料番号 ED2018-77 
発行日 2019-01-10 (ED, MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-77 MW2018-144 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-77 MW2018-144

研究会情報
研究会 MW ED  
開催期間 2019-01-17 - 2019-01-18 
開催地(和) 日立中研 
開催地(英) Hitachi, Central Research Lab. 
テーマ(和) 化合物半導体ICおよび超高速・超高周波デバイス/マイクロ波/一般 
テーマ(英) Compound semiconductor, High speed and High frequency devices/Microwave technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2019-01-MW-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Pit-Assisted Ohmic Contact Technology for InAlGaN/GaN HEMTs 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) HEMT / HEMT  
キーワード(2)(和/英) パワーアンプ / Power Amplifier  
キーワード(3)(和/英) ミリ波 / Millimeter wave  
キーワード(4)(和/英) InAlGaN / InAlGaN  
キーワード(5)(和/英) オーミック / Ohmic  
キーワード(6)(和/英) コンタクト抵抗 / Contact resistance  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 熊崎 祐介 / Yusuke Kumazaki / クマザキ ユウスケ
第1著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 史朗 / Shiro Ozaki / オザキ シロウ
第2著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 美濃浦 優一 / Yuichi Minoura / ミノウラ ユウイチ
第3著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 牧山 剛三 / Kozo Makiyama / マキヤマ コウゾウ
第4著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 多木 俊裕 / Toshihiro Ooki / オオキ トシヒロ
第5著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 直哉 / Naoya Okamoto / オカモト ナオヤ
第6著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 中村 哲一 / Norikazu Nakamura / ナカムラ ノリカズ
第7著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所 (略称: 富士通研)
FUJITSU LABORATORIES LTD. (略称: FUJITSU LABORATORIES LTD.)
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講演者
発表日時 2019-01-17 15:00:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2018-77,IEICE-MW2018-144 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.402(ED), no.403(MW) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2019-01-10,IEICE-MW-2019-01-10 


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