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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-25 13:45
Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響
中野 響松尾直人部家 彰山名一成高田忠雄盛谷浩右乾 徳夫佐藤 佑兵庫県立大)・佐藤 旦横山 新広島大
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抄録 (和) DNAにArクラスターを照射した。照射前後で、電流値に大きな変化が見られた。ArクラスターによりDNAに変化が起きたと考えられる。Arクラスターと同時にSIMS(Secondary Ion Mass Spectrometry)を行い、DNAの塩基に関するピークが見られた。DNAの形状に大きな変化があったのではないかと考えられる。 
(英) DNA was irradiated with Ar-cluster. A large change was observed in the current value before and after the irradiation. It seems that DNA has changed due to Ar-cluster. SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) was performed simultaneously with the Ar-cluster, and a peak related to DNA base was observed. It seems that there was a big change in the shape of DNA.
キーワード (和) DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry / / / / / /  
(英) DNA/Si-MOSFET / Secondary Ion Mass Spectrometry / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 380, SDM2018-80, pp. 25-28, 2018年12月.
資料番号 SDM2018-80 
発行日 2018-12-18 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 EID SDM ITE-IDY  
開催期間 2018-12-25 - 2018-12-25 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Arクラスター照射によるDNA/Si-MOSFETに対する影響 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study for hole- or electron- conduction of DNA/Si-MOSFET 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) DNA/Si-MOSFET / DNA/Si-MOSFET  
キーワード(2)(和/英) Secondary Ion Mass Spectrometry / Secondary Ion Mass Spectrometry  
キーワード(3)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 響 / Hibiki Nakano / ナカノ ヒビキ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Mastuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ
第3著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ
第4著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ
第5著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 盛谷 浩右 / Kousuke Moritani / モリタニ コウスケ
第6著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 乾 徳夫 / Norio Inui / イヌイ ノリオ
第7著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 佑 / Yu Sato / サトウ ユウ
第8著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. Hyogo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 旦 / Tadashi Sato / サトウ タダシ
第9著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン
第10著者 所属(和/英) 広島大学 (略称: 広島大)
Hiroshima University (略称: Hiroshima Univ.)
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講演者
発表日時 2018-12-25 13:45:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2018-7,IEICE-SDM2018-80 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.379(EID), no.380(SDM) 
ページ範囲 pp.25-28 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2018-12-18,IEICE-SDM-2018-12-18 


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