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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-25 13:15
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ)
秋田佳輝松尾直人兵庫県立大)・小濱和之伊藤和博阪大EID2018-5 SDM2018-78
抄録 (和) 本研究では,Ge膜のFLA結晶化時にSiOxキャップ膜が及ぼす影響を調査した.FLA結晶化におけるpoly-Ge膜の結晶性は液相結晶化(LPC) ,固相結晶化(SPC) 条件下でそれぞれ異なった.SPC条件下のGe膜(60 nm) では,結晶化率はキャップ層により増加したが,LPC条件下のGe膜(15, 30, 60 nm) では減少した.SEM像により直径約10 nmの微細粒が確認できた.さらにLPC条件下では,膜厚が増加するにつれてµc-Geが減少することがラマンスペクトルにより確認された.X線回折を行ったところ,膜厚増加に伴い(111) , (220) , (311) 面の粒成長が顕著であった.LPC条件下のGe結晶化において,µc-Geが核として生成されたと考えられえる. 
(英) We examined the effect of SiOx capping film on Ge films in FLA. The crystallinity was different between SPC and LPC. At SPC, the crystalline fraction was increased by the capping film for 60 nm-thick Ge film, although it decreased with the capping film for 15 - 60 nm at LPC. Many small grains with a diameter of approximately 10 nm was observed in SEM image. In addition, it was found by Raman spectral that the µc-Ge decreased as the film thickness increased for the LPC. The XRD results showed that the grain growth with (111), (220) and (311) planes becomes remarkable as the film thickness increased. It is considered that the µc-Ge serves as a nucleus for Ge crystallization by LPC.
キーワード (和) Ge / 結晶化 / フラッシュランプアニール / SiOxキャップ膜 / / / /  
(英) Ge / crystallization / Flash lamp annealing / SiOx capping film / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 380, SDM2018-78, pp. 17-20, 2018年12月.
資料番号 SDM2018-78 
発行日 2018-12-18 (EID, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード EID2018-5 SDM2018-78

研究会情報
研究会 EID SDM ITE-IDY  
開催期間 2018-12-25 - 2018-12-25 
開催地(和) 龍谷大学 響都ホール 校友会館 
開催地(英)  
テーマ(和) シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2018-12-EID-SDM-IDY 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果(Ⅱ) 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effects of SiOx Capping Film on Crystallization of Ge Film for Flash Lamp Annealing (Ⅱ) 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Ge / Ge  
キーワード(2)(和/英) 結晶化 / crystallization  
キーワード(3)(和/英) フラッシュランプアニール / Flash lamp annealing  
キーワード(4)(和/英) SiOxキャップ膜 / SiOx capping film  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋田 佳輝 / Yoshiki akita / アキタ ヨシキ
第1著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト
第2著者 所属(和/英) 兵庫県立大学 (略称: 兵庫県立大)
University of Hyogo (略称: Univ. of Hyogo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小濱 和之 / Kazuyuki Kohama / コハマ カズユキ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 和博 / Kazuhiro Ito / イトウ カズヒロ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2018-12-25 13:15:00 
発表時間 15 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-EID2018-5,IEICE-SDM2018-78 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.379(EID), no.380(SDM) 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-EID-2018-12-18,IEICE-SDM-2018-12-18 


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