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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-12-25 11:00 プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ ○内海大樹（東北学院大）・北原邦紀・塚田真也（島根大）・鈴木仁志・原 明人（東北学院大）  EID2018-4 SDM2018-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2018-4 SDM2018-77 |
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| 抄録 | （和） | 塗布型ポリイミド(PI)上に銅(Cu)を利用した金属誘起結晶化(MIC)を用いて, ダブルゲート(DG)構造の多結晶ゲルマニウム(poly-Ge)薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。作製したTFTは, ソース・ドレイン(SD)領域を金属化することによって寄生抵抗を低減したアルミニウム(Al)元素置換横方向金属化SD (Al-LM-SD) 技術を採用している. On/off比は1.5×103, 移動度18 cm2/Vsを実現している. |
| （英） | Polycrystalline-germanium (poly-Ge) thin-film transistor (TFT) with double gate (DG) structure was fabricated via metal induced crystallization (MIC) using copper (Cu) on coated polyimide (PI) substrate. The fabricated TFT was adopted aluminum (Al) induced lateral metallization source drain (Al-LM-SD), which reduces parasitic resistance of SD. It realized on/off ratio of 1.5×103 and nominal mobility of 18 cm2/Vs. | |
| キーワード | （和） | 多結晶ゲルマニウム / プラスチック / フレキシブル / 薄膜トランジスタ / 金属誘起結晶化 / / / |
| （英） | Poly-Ge / Plastic Substrate / Flexible / Thin-Film Transistor / TFT / Metal Induced Crystallization / MIC / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 380, SDM2018-77, pp. 1-4, 2018年12月. | |
| 資料番号 | SDM2018-77 | |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EID2018-4 SDM2018-77 エレソ技報アーカイブへのリンク：EID2018-4 SDM2018-77 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID SDM ITE-IDY |
| 開催期間 | 2018-12-25 - 2018-12-25 |
| 開催地（和） | 龍谷大学 響都ホール 校友会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2018-12-EID-SDM-IDY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラスチック基板上のダブルゲートCu-MIC多結晶ゲルマニウム薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Double-Gate Cu-MIC Poly-Ge TFT on Plastic Substrate |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶ゲルマニウム / Poly-Ge |
| キーワード(2)（和/英） | プラスチック / Plastic Substrate |
| キーワード(3)（和/英） | フレキシブル / Flexible |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(5)（和/英） | 金属誘起結晶化 / TFT |
| キーワード(6)（和/英） | / Metal Induced Crystallization |
| キーワード(7)（和/英） | / MIC |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内海 大樹 / Hiroki Utsumi / ウツミ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北原 邦紀 / Kuninori Kitahara / キタハラ クニノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塚田 真也 / Shinya Tsukada / ツカダ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 島根大学 (略称： 島根大) Shimane University (略称： Shimane Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 仁志 / Hitoshi Suzuki / スズキ ヒトシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 明人 / Akito Hara / ハラ アキト |
| 第5著者 所属（和/英） | 東北学院大学 (略称： 東北学院大) Tohoku Gakuin University (略称： Tohoku Gakuin Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-12-25 11:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | EID2018-4, SDM2018-77 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.379(EID), no.380(SDM) |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2018-12-18 (EID, SDM) |
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