お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-18 11:10
高効率THz波発生に向けた二次元層状化合物半導体GaSe結晶の低温液相成長
佐藤陽平唐 超渡辺克也大崎淳也田邉匡生小山 裕東北大ED2018-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-66
抄録 (和) 本研究ではTHz波光源用非線形光学結晶として使用するガリウムセレン(GaSe)結晶を溶液成長により作製している.今回は温度差溶液成長によりインゴット状GaSe単結晶を高速で成長するために、Ga及びSeを多量に溶解し、溶質の濃度差が付きやすいインジウム(In)をフラックスとして用いて成長を行った。成長した結晶に対してはXRDとPL測定を行い、取り込まれたInの量について考察した。また、In中へのGaSeの飽和溶解度を温度ごとに測定し、温度差溶液成長において溶質の濃度勾配の大きさから成長の速度についても考察を行った。 
(英) We study the GaSe crystal as nonlinear optical crystal using in THz wave generation. In this report, in order to rapidly grow ingot GaSe single crystal by temperature gradient solution growth, GaSe crystal is grown from In flux which can dissolve the large amounts of GaSe and can be easily applied gradient of solutes. Grown crystal is evaluated by XRD and PL measurements and considered amount of In in the grown crystals. In addition, saturated content of GaSe in the In are measured each temperature and the speed of temperature gradient solution growth is considered from the magnitude of the solute gradient.
キーワード (和) GaSe / 結晶成長 / フラックス法 / 示差熱重量分析 / InxGa1-xSe混晶 / / /  
(英) GaSe / Crystal growth / Flux method / TG-DTA / InxGa1-xSe mixed crystal / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 368, ED2018-66, pp. 49-52, 2018年12月.
資料番号 ED2018-66 
発行日 2018-12-10 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2018-66 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2018-66

研究会情報
研究会 ED THz  
開催期間 2018-12-17 - 2018-12-18 
開催地(和) 東北大・通研 
開催地(英) RIEC, Tohoku Univ. 
テーマ(和) ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム 
テーマ(英) Millimeter-wave, terahertz-wave devices and systems 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2018-12-ED-THz 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高効率THz波発生に向けた二次元層状化合物半導体GaSe結晶の低温液相成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature liquid phase growth of 2 dimensional layer semiconductor GaSe crystal for highly efficient THz wave source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaSe / GaSe  
キーワード(2)(和/英) 結晶成長 / Crystal growth  
キーワード(3)(和/英) フラックス法 / Flux method  
キーワード(4)(和/英) 示差熱重量分析 / TG-DTA  
キーワード(5)(和/英) InxGa1-xSe混晶 / InxGa1-xSe mixed crystal  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 陽平 / Yohei Sato / サトウ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 唐 超 / Chao Tang / タン チャオ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 克也 / Katsuya Watanabe / ワタナベ カツヤ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大崎 淳也 / Junya Ohsaki / オオサキ ジュンヤ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 田邉 匡生 / Tadao Tanabe / タナベ タダオ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 小山 裕 / Yutaka Oyama / オヤマ ユタカ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2018-12-18 11:10:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2018-66 
巻番号(vol) vol.118 
号番号(no) no.368 
ページ範囲 pp.49-52 
ページ数
発行日 2018-12-10 (ED) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会