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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2018-12-07 13:45 SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法 ○松井千尋・竹内 健（中大）  CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2018-94 ICD2018-55 |
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| 抄録 | （和） | ストレージクラスメモリ（SCM）をNAND型フラッシュメモリの不揮発性キャッシュとして用いることで，ハイブリッドストレージの性能は大きく向上する．しかしSCMはビットコストが高く，最適なSCM容量はアプリケーション特性に依存する．NAND型フラッシュメモリ内のデータアクセス回数を観測することによる，アプリケーション特性に適応したSCM容量自律調整手法を提案する．その結果，ストレージコストを削減し，高性能を実現した． |
| （英） | Performance of hybrid storage with storage class memory (SCM) and NAND flash memory is improved by using SCM as non-volatile cache. The problem is high bit cost of SCMs. Furthermore, the optimum SCM capacity depends on application characteristics. The proposed method adjusts autonomously SCM capacity by observing application dependent access frequency in NAND flash memory. As a result, both the operating storage cost reduction and high performance achieved. | |
| キーワード | （和） | NAND型フラッシュメモリ / ストレージクラスメモリ（SCM） / 自律容量調整 / / / / / |
| （英） | NAND flash memory / storage class memory (SCM) / autonomous capacity adjustment / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 118, no. 337, ICD2018-55, pp. 29-30, 2018年12月. | |
| 資料番号 | ICD2018-55 | |
| 発行日 | 2018-11-28 (CPM, ICD, IE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2018-94 ICD2018-55 IE2018-73 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2018-94 ICD2018-55 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE IPSJ-SLDM |
| 開催期間 | 2018-12-05 - 2018-12-07 |
| 開催地（和） | サテライトキャンパスひろしま |
| 開催地（英） | Satellite Campus Hiroshima |
| テーマ（和） | デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2018 -New Field of VLSI Design- |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2018-12-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SCM/NANDフラッシュハイブリッドストレージにおけるアプリケーション特性に応じたSCM容量の自律最適化手法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Autonomous SCM capacity adjustment method in SCM/NAND flash hybrid storage |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NAND型フラッシュメモリ / NAND flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ストレージクラスメモリ（SCM） / storage class memory (SCM) |
| キーワード(3)（和/英） | 自律容量調整 / autonomous capacity adjustment |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松井 千尋 / Chihiro Matsui / マツイ チヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
| 第2著者 所属（和/英） | 中央大学 (略称： 中大) Chuo University (略称： Chuo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2018-12-07 13:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | CPM2018-94, ICD2018-55, IE2018-73 |
| 巻番号（vol） | vol.118 |
| 号番号（no） | no.336(CPM), no.337(ICD), no.338(IE) |
| ページ範囲 | pp.29-30 |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2018-11-28 (CPM, ICD, IE) |
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