電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-07 14:10
0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法
東 梨奈小平行秀会津大)・松井知己高橋篤司東工大)・児玉親亮野嶋茂樹東芝メモリ
技報オンラインサービス実施中(エレソは開催日の前後のみ)  エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) 半導体製造における回路パターンの限界寸法の縮小のため,光リソグラフィによる半導体加工技術の進歩が求められている.光リソグラフィの解像度を改善させる技術のうち,マスクの整形によってウェハ上に転写されるパタンの忠実性を改善する技術を光近接効果補正(Optical Proximity Correction, OPC)と呼び,光リソグラフィにおいて微細化の重要な役割を担っている.一般にOPCによるマスク補正手法はルールベースOPCとモデルベースOPCの2つのクラスに分けられ,微細化が進むにつれてモデルベースOPCの研究が広く行われている.本稿では,マスク補正問題をターゲットのパタン辺周りの光強度コントラストの最大化させる0-1二次計画問題に定式化し,Forcing Rule,勾配中間法,勾配判定法のそれぞれによって解くことで,設計パタンへの忠実性とプロセスばらつきへのマージンを同時に向上させるmodel-based OPCを提案する. 
(英) Due to continuous shrinking of Critical Dimensions (CD) of layout pattern in VLSI, advances of manufacturing process in optical lithography are required. As a main stream among resolution enhancement techniques, Optical Proximity Correction (OPC), which improves shape fidelity of formed patterns on wafers against designed target patterns by mask correction, is essential to achieve scale down of CD in the optical lithography. In general, mask correction methods in OPC are classified into two classes: rule-based OPC and model-based OPC. Recently, model-based OPC is broadly studied. In this paper, we propose a model-based OPC which formulates the maximization of contrast of intensity around edges of target patterns as 0-1 Quadratic Programming, and which is solved by using Forcing Rule, Gradient Midpoint Method or Gradient Deciding Method. By these proposed methods, shape fidelity and tolerance against process variation are improved simultaneously.
キーワード (和) リソグラフィ / リソグラフィシミュレーション / 光近接効果補正 / 製造容易設計 / / / /  
(英) lithography / lithography simulation / optical proximity correction (OPC) / design for manufacturability (DFM) / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 334, VLD2018-70, pp. 209-214, 2018年12月.
資料番号 VLD2018-70 
発行日 2018-11-28 (VLD, DC) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD DC CPSY RECONF CPM ICD IE IPSJ-SLDM 
開催期間 2018-12-05 - 2018-12-07 
開催地(和) サテライトキャンパスひろしま 
開催地(英) Satellite Campus Hiroshima 
テーマ(和) デザインガイア2018 -VLSI設計の新しい大地- 
テーマ(英) Design Gaia 2018 -New Field of VLSI Design- 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2018-12-VLD-DC-CPSY-RECONF-CPM-ICD-IE-SLDM-EMB-ARC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 0-1二次計画法によるプロセスばらつきを考慮したモデルベースマスク補正手法 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Process Variation-aware Model-based OPC using 0-1 Quadratic Programming 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) リソグラフィ / lithography  
キーワード(2)(和/英) リソグラフィシミュレーション / lithography simulation  
キーワード(3)(和/英) 光近接効果補正 / optical proximity correction (OPC)  
キーワード(4)(和/英) 製造容易設計 / design for manufacturability (DFM)  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 東 梨奈 / Rina Azuma / アズマ リナ
第1著者 所属(和/英) 会津大学 (略称: 会津大)
The University of Aizu (略称: Univ. of Aizu)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 小平 行秀 / Yukihide Kohira / コヒラ ユキヒデ
第2著者 所属(和/英) 会津大学 (略称: 会津大)
The University of Aizu (略称: Univ. of Aizu)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 松井 知己 / Tomomi Matsui / マツイ トモミ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高橋 篤司 / Atsushi Takahashi / タカハシ アツシ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 児玉 親亮 / Chikaaki Kodama / コダマ チカアキ
第5著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: TMC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野嶋 茂樹 / Shigeki Nojima / ノジマ シゲキ
第6著者 所属(和/英) 東芝メモリ株式会社 (略称: 東芝メモリ)
Toshiba Memory Corporation (略称: TMC)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2018-12-07 14:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2018-70,IEICE-DC2018-56 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.334(VLD), no.335(DC) 
ページ範囲 pp.209-214 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-VLD-2018-11-28,IEICE-DC-2018-11-28 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会