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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-06 17:10
III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率
菊地健彦住友電工/東工大)・鈴木純一立花文人東工大)・井上尚子八木英樹住友電工)・Moataz Eissa御手洗拓矢雨宮智宏西山伸彦荒井滋久東工大)   エレソ技報アーカイブはこちら
抄録 (和) III-V族半導体から成るアクティブ素子とSiフォトニクスのハイブリッド集積技術は,小型,高速かつ,低消費電力な次世代の光集積回路実現に向けて有望である.我々はこれまでに, 窒素プラズマ活性化接合を用いてGaInAsP/Silicon-On-Insulatorハイブリッド集積光素子を実現している.今後の更なる素子の高性能化に向けては, InP系活性領域とSi導波路との光結合の高効率化が課題となっていた.本稿では,Si導波路とIII-V/Siハイブリッド部の光結合部分をi線ステッパプロセス作製法を用いて二段テーパ構造とすることにより,86%の高効率結合を実現したのでご報告する. 
(英) The hybrid integration utilizing III-V based active devices with Si-Photonics is very attractive to realize new-generation photonic integrated circuits (PICs) with a small-footprint, high-speed response, and low power dissipation. GaInAsP/ Silicon-On-Insulator (SOI) hybrid photonic integrations have been realized using N2 plasma activated bonding (PAB) processes. In addition, high optical coupling efficiency between the InP-based active section and Si-waveguides is a key issue for the realization of high-performance photonic devices. High optical coupling efficiency between them of 86% was realized by using the i-line stepper lithography process.
キーワード (和) III-V/Siハイブリッド集積 / 二段テーパ導波路構造 / プラズマ活性化接合 / InP / Siフォトニクス / / /  
(英) III-V/Si hybrid integration / Double taper-type coupler structure / Plasma activated bonding / InP / Si-Photonics / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 348, OPE2018-129, pp. 161-164, 2018年12月.
資料番号 OPE2018-129 
発行日 2018-11-29 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 LQE OPE SIPH  
開催期間 2018-12-06 - 2018-12-07 
開催地(和) 慶應義塾大学 
開催地(英) Keio University 
テーマ(和) Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) 
テーマ(英) Photonic Device Workshop 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2018-12-LQE-OPE-SIPH 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) III-V/Siハイブリッド集積に向けた二段テーパ構造の高光結合効率 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High optical coupling efficiency by double taper-type coupler structure towards III-V/Si hybrid photonic integration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) III-V/Siハイブリッド集積 / III-V/Si hybrid integration  
キーワード(2)(和/英) 二段テーパ導波路構造 / Double taper-type coupler structure  
キーワード(3)(和/英) プラズマ活性化接合 / Plasma activated bonding  
キーワード(4)(和/英) InP / InP  
キーワード(5)(和/英) Siフォトニクス / Si-Photonics  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 菊地 健彦 / Takehiko Kikuchi / キクチ タケヒコ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社/東京工業大学 (略称: 住友電工/東工大)
Sumitomo Electric Industries, Ltd./Tokyo Institute of Technology (略称: SEI/Tokyo Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 純一 / Junichi Suzuki / スズキ ジュンイチ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 立花 文人 / Fumihito Tachibana / タチバナ フミヒト
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 井上 尚子 / Naoko Inoue / イノウエ ナオコ
第4著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: SEI)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ
第5著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, Ltd. (略称: SEI)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Moataz Eissa / Moataz Eissa /
第6著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 御手洗 拓矢 / Takuya Mitarai / ミタライ タクヤ
第7著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 雨宮 智宏 / Tomohiro Amemiya / アメミヤ トモヒロ
第8著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第9著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第10著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech.)
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講演者
発表日時 2018-12-06 17:10:00 
発表時間 80 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-OPE2018-129,IEICE-LQE2018-139,IEICE-SIPH2018-45 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.348(OPE), no.349(LQE) 
ページ範囲 pp.161-164 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2018-11-29,IEICE-LQE-2018-11-29 


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