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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-06 15:30
電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析
今村裕志産総研MRIS2018-23
抄録 (和) 電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集めている.電圧トルクMRAMの動作原理について解説を行い,実用化に向けて重要な特性の一つである書き込みエラー率のシミュレーション解析結果について報告する. 
(英) Voltage torque MRAM, where the information is written by using the voltage control of the magntic anisotropy, has attracted much attention as a fast and ultra-low-power non-volatile memory. We introduce the operation principles of the voltage-torque MRAM and report the results of our simulation analysis of the write error rate which is one of the key properties for practical applications.
キーワード (和) 不揮発性メモリ / MRAM / 電圧トルク / 磁気異方性 / 書き込みエラー率 / / /  
(英) non-volatile memory / MRAM / voltage-torque / magnetic anisotropy / write error rate / / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 347, MRIS2018-23, pp. 19-23, 2018年12月.
資料番号 MRIS2018-23 
発行日 2018-11-29 (MRIS) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MRIS2018-23

研究会情報
研究会 MRIS ITE-MMS  
開催期間 2018-12-06 - 2018-12-07 
開催地(和) 愛媛大学 
開催地(英) Ehime University 
テーマ(和) 信号処理,一般 
テーマ(英) Signal Processing and Others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MRIS 
会議コード 2018-12-MRIS-MMS 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Simulation analysis of the write error rate of voltage-torque MRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 不揮発性メモリ / non-volatile memory  
キーワード(2)(和/英) MRAM / MRAM  
キーワード(3)(和/英) 電圧トルク / voltage-torque  
キーワード(4)(和/英) 磁気異方性 / magnetic anisotropy  
キーワード(5)(和/英) 書き込みエラー率 / write error rate  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 今村 裕志 / Hiroshi Imamura / イマムラ ヒロシ
第1著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) (略称: AIST)
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講演者
発表日時 2018-12-06 15:30:00 
発表時間 30 
申込先研究会 MRIS 
資料番号 IEICE-MRIS2018-23 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.347 
ページ範囲 pp.19-23 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-MRIS-2018-11-29 


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