講演抄録/キーワード |
講演名 |
2018-12-06 15:30
電圧トルクMRAMにおける書き込みエラー率のシミュレーション解析 ○今村裕志(産総研) MRIS2018-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:MRIS2018-23 |
抄録 |
(和) |
電圧印加による磁気異方性の変化を書き込みに利用した電圧トルクMRAMは高速・超低消費電力な不揮発性メモリとして注目を集めている.電圧トルクMRAMの動作原理について解説を行い,実用化に向けて重要な特性の一つである書き込みエラー率のシミュレーション解析結果について報告する. |
(英) |
Voltage torque MRAM, where the information is written by using the voltage control of the magntic anisotropy, has attracted much attention as a fast and ultra-low-power non-volatile memory. We introduce the operation principles of the voltage-torque MRAM and report the results of our simulation analysis of the write error rate which is one of the key properties for practical applications. |
キーワード |
(和) |
不揮発性メモリ / MRAM / 電圧トルク / 磁気異方性 / 書き込みエラー率 / / / |
(英) |
non-volatile memory / MRAM / voltage-torque / magnetic anisotropy / write error rate / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 118, no. 347, MRIS2018-23, pp. 19-23, 2018年12月. |
資料番号 |
MRIS2018-23 |
発行日 |
2018-11-29 (MRIS) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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