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講演抄録/キーワード
講演名 2018-12-06 17:10
磁気光学デバイス応用に向けたSi基板上Ce:YIGの形成
野口道臣庄司雄哉水本哲弥東工大OPE2018-123 LQE2018-133 SIPH2018-39
抄録 (和) セリウム一置換の多結晶セリウム置換型イットリウム鉄ガーネット(CeY2Fe5O12, Ce:YIG)の、シリコン基板上への直接堆積法による製膜について報告する。結晶性の向上を期待して、下地層としてYIG(Y3Fe5O12)を有機金属分解法(Metal Organic Decomposition:MOD法)で形成し、その上にスパッタ法でCe:YIG多結晶を製膜することで、Ce:YIG/YIG/Si構造の形成に成功した。得られた多結晶Ce:YIGのファラデー回転係数は-1400 deg/cmであり、これは単結晶の31%に相当する。また得られた構造の下地層厚さは120 nmであった。
また得られた構造による非相反移送導波路について、下地層厚さの低減が特性改善に有効であることがわかった。下地層厚さの低減のためにMOD法プロセスの改善についても試みたので報告する。 
(英) We report the deposition of a polycrystalline Ce-monosubstituted Yttrium Iron Garnet (CeY2Fe5O12, Ce:YIG) by a direct deposition method on a Silicon substrate. Expecting improvement of crystallinity, YIG (Y3Fe5O12) is formed as an seedlayer by metal organic decomposition method (MOD method), and Ce:YIG polycrystal is formed thereon by sputtering method, succeeded in forming the Ce:YIG/YIG/Si structure. The Faraday rotation coefficient of the obtained polycrystalline Ce:YIG is -1400 deg/cm, which corresponds to 31% of the single crystal. The thickness of the seedlayer of the obtained structure was 120 nm.
It was also found that reduction of the thickness of the seedlayer is effective for improving the characteristics of the nonreciprocal waveguide with the obtained structure. In order to reduce the thickness of the seedlayer, we also tried to improve the MOD process and report it.
キーワード (和) 光集積回路 / 磁気光学材料 / 磁気光学デバイス / シリコンフォトニクス / Ce:YIG / 有機金属分解法 / /  
(英) Optical Integrated Circuit / Magneto-optical Material / Magneto-optical Device / Silicon Photonics / Ce:YIG / Metal Organic Decomposition / /  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 348, OPE2018-123, pp. 131-134, 2018年12月.
資料番号 OPE2018-123 
発行日 2018-11-29 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2018-123 LQE2018-133 SIPH2018-39

研究会情報
研究会 LQE OPE SIPH  
開催期間 2018-12-06 - 2018-12-07 
開催地(和) 慶應義塾大学 
開催地(英) Keio University 
テーマ(和) Photonic Device Workshop (半導体レーザ関連技術, パッシブデバイス技術, シリコンフォトニクス) 
テーマ(英) Photonic Device Workshop 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2018-12-LQE-OPE-SIPH 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 磁気光学デバイス応用に向けたSi基板上Ce:YIGの形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Deposition of Ce:YIG on Si for Magneto-Optical Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光集積回路 / Optical Integrated Circuit  
キーワード(2)(和/英) 磁気光学材料 / Magneto-optical Material  
キーワード(3)(和/英) 磁気光学デバイス / Magneto-optical Device  
キーワード(4)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon Photonics  
キーワード(5)(和/英) Ce:YIG / Ce:YIG  
キーワード(6)(和/英) 有機金属分解法 / Metal Organic Decomposition  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 道臣 / Michiomi Noguchi / ノグチ ミチオミ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 庄司 雄哉 / Yuya Shoji / ショウジ ユウヤ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 水本 哲弥 / Tetsuya Mizumoto / ミズモト テツヤ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Tech)
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講演者
発表日時 2018-12-06 17:10:00 
発表時間 80 
申込先研究会 OPE 
資料番号 IEICE-OPE2018-123,IEICE-LQE2018-133,IEICE-SIPH2018-39 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.348(OPE), no.349(LQE) 
ページ範囲 pp.131-134 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2018-11-29,IEICE-LQE-2018-11-29 


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