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講演抄録/キーワード
講演名 2018-11-30 11:15
光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
梅村将成市村正也名工大ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
抄録 (和) AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及している。その反面、現在まで導電膜としての応用例は殆どない。そこで我々は、導電性の発現を目指し、光化学堆積法によって不純物ドーピングしたAlOx薄膜を作製した。その結果、透明性を維持しながら導電性を示すAlOx薄膜の作製に成功した。本報告では、作製した透明導電AlOx薄膜の光学的・電気的特性の評価結果を示し、AlOx薄膜の半導体としての応用可能性を提案する。 
(英) AlOx has many physical properties suitable for electronic devices such as wide bandgap and high dielectric breakdown electric field and is widely used as an insulating film due to its high insulating property. On the other hand, to date, there are almost no applications as a conductive film. In this research, we attempted to fabricate impurity-doped, conductive AlOx thin films by photochemical deposition method. We succeeded in producing AlOx thin films showing conductivity while maintaining transparency. In this work, we report the evaluation results of the optical and electrical properties of the prepared transparent conductive AlOx thin films and propose application of AlOx thin films as a semiconductor for electronics devices.
キーワード (和) 光化学堆積(PCD)法 / 酸化アルミニウム (AlOx) / Cuドーピング / 半導体 / アニール / 抵抗率 / 透明薄膜 / オージェ電子分光法  
(英) Photochemical deposition / Aluminum oxide / Cu doping / Semiconductor / Annealing / Resistivity / Transparent thin films / Auger electron spectroscopy  
文献情報 信学技報, vol. 118, no. 331, CPM2018-80, pp. 65-70, 2018年11月.
資料番号 CPM2018-80 
発行日 2018-11-22 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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PDFダウンロード ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100

研究会情報
研究会 ED LQE CPM  
開催期間 2018-11-29 - 2018-11-30 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Inst. tech. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 
テーマ(英) Nitride Semiconductor Devices, Materials, Related Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2018-11-ED-LQE-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication and evaluation of p-type Cu-AlOx thin film by photochemical deposition method 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 光化学堆積(PCD)法 / Photochemical deposition  
キーワード(2)(和/英) 酸化アルミニウム (AlOx) / Aluminum oxide  
キーワード(3)(和/英) Cuドーピング / Cu doping  
キーワード(4)(和/英) 半導体 / Semiconductor  
キーワード(5)(和/英) アニール / Annealing  
キーワード(6)(和/英) 抵抗率 / Resistivity  
キーワード(7)(和/英) 透明薄膜 / Transparent thin films  
キーワード(8)(和/英) オージェ電子分光法 / Auger electron spectroscopy  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 梅村 将成 / Masanari Umemura / ウメムラ マサナリ
第1著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 市村 正也 / Masaya Ichimura / イチムラ マサヤ
第2著者 所属(和/英) 名古屋工業大学 (略称: 名工大)
Nagoya Institute of Technology (略称: Nagoya Inst. Tech.)
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講演者
発表日時 2018-11-30 11:15:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-ED2018-46,IEICE-CPM2018-80,IEICE-LQE2018-100 
巻番号(vol) IEICE-118 
号番号(no) no.330(ED), no.331(CPM), no.332(LQE) 
ページ範囲 pp.65-70 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2018-11-22,IEICE-CPM-2018-11-22,IEICE-LQE-2018-11-22 


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